时间：2025/7/22 21:04:07
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STB42N65M5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率开关电源（SMPS）和DC-DC转换器设计。该器件采用先进的SuperMESH?技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于各种高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：42A
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.045Ω
栅极电荷（Qg）：典型值42nC
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
STB42N65M5采用意法半导体的SuperMESH?技术，这项技术显著降低了导通电阻并提高了器件的开关性能。该MOSFET具有极低的Rds(on)，在42A额定电流下，导通损耗显著降低，有助于提高电源转换效率。
此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，进一步降低了高频开关应用中的驱动损耗。其高雪崩能量耐受能力和出色的热稳定性使其在恶劣工作条件下也能保持可靠运行。
STB42N65M5还具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业电源和电动汽车充电设备。TO-263封装提供了良好的散热性能，便于在高功率密度设计中使用。
STB42N65M5广泛应用于各种高效率电源系统，包括服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及工业电机控制。由于其高耐压和大电流能力，该器件也非常适合用于LLC谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路以及DC-DC转换器等高频开关电路中。
STB42N65M5替代型号包括STB42N65M5-DS、STB42N65M5T4、STB42N65M5-1、STP42N65M5、STP42N65M5-DS等。
