STB36NF06LT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了Trench技术设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
STB36NF06LT4 的封装形式为TO-220 Full Mold,具备良好的散热性能,能够在较高的电流和电压环境下稳定工作。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):36A
导通电阻(Rds(on)):9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):175W
结温范围:-55℃至150℃
栅极电荷(Qg):35nC(典型值)
反向恢复时间(trr):50ns
STB36NF06LT4 具有以下显著特性:
1. 采用先进的Trench MOS技术制造,能够有效降低导通电阻,提高效率。
2. 支持高达36A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性,可减少开关损耗,提升系统效能。
4. 良好的热稳定性,支持长时间在高温环境下运行。
5. 提供过流保护和短路保护功能,增强了系统的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范要求。
STB36NF06LT4 广泛应用于需要高效功率控制的领域,具体包括:
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中作为功率级开关使用。
3. 各种电机驱动电路,如直流无刷电机或步进电机控制。
4. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统中的充放电控制。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5500
IXTH38N06P2