时间：2025/5/24 14:18:02
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STB36NF06LT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了Trench技术设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
STB36NF06LT4 的封装形式为TO-220 Full Mold，具备良好的散热性能，能够在较高的电流和电压环境下稳定工作。
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：175W
结温范围：-55℃至150℃
栅极电荷（Qg）：35nC（典型值）
反向恢复时间（trr）：50ns
STB36NF06LT4 具有以下显著特性：
1. 采用先进的Trench MOS技术制造，能够有效降低导通电阻，提高效率。
2. 支持高达36A的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，可减少开关损耗，提升系统效能。
4. 良好的热稳定性，支持长时间在高温环境下运行。
5. 提供过流保护和短路保护功能，增强了系统的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范要求。
STB36NF06LT4 广泛应用于需要高效功率控制的领域，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中作为功率级开关使用。
3. 各种电机驱动电路，如直流无刷电机或步进电机控制。
4. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统中的充放电控制。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP5500
IXTH38N06P2
