您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STB36NF06LT4

STB36NF06LT4 发布时间 时间:2025/5/24 14:18:02 查看 阅读:13

STB36NF06LT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用了Trench技术设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
  STB36NF06LT4 的封装形式为TO-220 Full Mold,具备良好的散热性能,能够在较高的电流和电压环境下稳定工作。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):36A
  导通电阻(Rds(on)):9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):175W
  结温范围:-55℃至150℃
  栅极电荷(Qg):35nC(典型值)
  反向恢复时间(trr):50ns

特性

STB36NF06LT4 具有以下显著特性:
  1. 采用先进的Trench MOS技术制造,能够有效降低导通电阻,提高效率。
  2. 支持高达36A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,可减少开关损耗,提升系统效能。
  4. 良好的热稳定性,支持长时间在高温环境下运行。
  5. 提供过流保护和短路保护功能,增强了系统的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范要求。

应用

STB36NF06LT4 广泛应用于需要高效功率控制的领域,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中作为功率级开关使用。
  3. 各种电机驱动电路,如直流无刷电机或步进电机控制。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 电池管理系统中的充放电控制。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP5500
  IXTH38N06P2

STB36NF06LT4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STB36NF06LT4参数

  • 其它有关文件STB36NF06L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-6551-6