时间：2025/7/23 2:16:41
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STB35N60DM2 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高功率密度的应用中。该器件采用先进的MDmesh DM2技术，具备低导通电阻和高耐压特性，适用于电源转换、电机控制、照明和工业自动化等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：35A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：最大值0.15Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、TO-247等
STB35N60DM2 MOSFET采用了意法半导体的MDmesh DM2技术，显著降低了导通损耗并提高了器件的耐用性。其600V的漏极-源极击穿电压使其适用于高电压环境，同时具备良好的热稳定性和抗雪崩能力。该器件的低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高系统效率。
此外，STB35N60DM2具有较高的dv/dt抗扰度，能够有效防止开关过程中由于电压变化率过高而引发的误触发问题。栅极电荷（Qg）较低，有利于减少驱动损耗，提高开关速度。该器件还具备良好的短路耐受能力，适合用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。
在封装方面，STB35N60DM2提供多种选项，如TO-220和TO-247，方便用户根据具体应用需求选择合适的封装形式，以优化散热性能和空间布局。
STB35N60DM2广泛应用于多种高功率和高效率的电力电子系统中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、电机驱动器、LED照明系统以及工业自动化控制设备。在电源管理领域，该器件能够有效提高转换效率并降低系统损耗，是实现高效能、高可靠性设计的理想选择。此外，STB35N60DM2还可用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动车充电设备中，提供稳定的功率控制。
STP35N60DM2, FQA35N60, 2SK2143
