时间：2025/6/13 18:30:41
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STB33N65M2 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沱道 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件具有低导通电阻和高雪崩能力，适用于各种功率转换应用。其额定电压为 650V，额定电流为 33A。这种 MOSFET 通常用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景，提供高效能的功率切换功能。
STB33N65M2 属于 MDmesh M2 技术系列，具备优化的栅极电荷和输出电荷参数，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
额定电压：650V
额定电流：33A
导通电阻（最大值）：1.08Ω
栅极电荷（Qg）：90nC
输出电荷（Qoss）：30nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
STB33N65M2 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达 650V 的电压，适用于高压环境中的功率控制。
2. 超低导通电阻，有助于减少导通状态下的功率损耗。
3. 优化的栅极电荷和输出电荷参数，可以显著降低开关过程中的能量消耗。
4. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
5. 宽温度范围支持，使其能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，确保环保性能。
STB33N65M2 广泛应用于需要高效功率切换的各种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 太阳能逆变器
3. 电机驱动器
4. 工业自动化设备
5. 不间断电源（UPS）
6. 电动车充电装置
由于其高电压和大电流的处理能力，STB33N65M2 在工业级和消费级电子设备中均表现出色。
STB33N65M5
STB33DM65
IRFP460
