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STB28NM50N 发布时间 时间:2025/7/23 3:06:33 查看 阅读:6

STB28NM50N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。该MOSFET设计用于在高电压和大电流条件下提供高效的开关性能,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等场景。STB28NM50N的封装形式为TO-220,使其便于安装和散热。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):500V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A(在25°C)
  功耗(Ptot):50W
  导通电阻(Rds(on)):0.28Ω(最大值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220

特性

STB28NM50N具备多种优良特性,使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。首先,其导通电阻较低,能够有效降低导通损耗,提高整体系统效率。其次,该器件支持高达500V的漏极-源极电压,适用于中高功率应用场合,具备良好的电压耐受能力。此外,STB28NM50N的连续漏极电流可达10A,在良好的散热条件下可以处理较大的负载电流,适用于需要较高功率密度的设计。
  该MOSFET采用了先进的制造工艺,确保了其在高温环境下依然能够稳定运行。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了机械强度,使其适用于工业级和汽车级应用环境。此外,该器件具备良好的抗雪崩能力,能够在极端工作条件下提供一定的保护功能,提高系统的可靠性。
  STB28NM50N还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高系统的响应速度和效率。其栅极驱动要求较低,可以与常见的驱动电路兼容,简化设计和应用过程。

应用

STB28NM50N常用于多种功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和充电器等。在电源管理系统中,它可以作为主开关元件,实现高效的能量转换。在工业自动化和电机控制应用中,该MOSFET可用于控制大功率负载,确保系统的高效运行。此外,STB28NM50N也可用于汽车电子系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源等高要求的应用场景。

替代型号

STB28NM50ND STP28NM50N STD28NM50N

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STB28NM50N参数

  • 其它有关文件STB28NM50N View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C158 毫欧 @ 10.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1735pF @ 25V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10704-6