STB28NM50N 时间：2025/7/23 3:06:33 阅读：6

STB28NM50N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。该MOSFET设计用于在高电压和大电流条件下提供高效的开关性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等场景。STB28NM50N的封装形式为TO-220，使其便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：500V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　功耗（Ptot）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STB28NM50N具备多种优良特性，使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。首先，其导通电阻较低，能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件支持高达500V的漏极-源极电压，适用于中高功率应用场合，具备良好的电压耐受能力。此外，STB28NM50N的连续漏极电流可达10A，在良好的散热条件下可以处理较大的负载电流，适用于需要较高功率密度的设计。
　　该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了其在高温环境下依然能够稳定运行。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度，使其适用于工业级和汽车级应用环境。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下提供一定的保护功能，提高系统的可靠性。
　　STB28NM50N还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。其栅极驱动要求较低，可以与常见的驱动电路兼容，简化设计和应用过程。

应用

STB28NM50N常用于多种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和充电器等。在电源管理系统中，它可以作为主开关元件，实现高效的能量转换。在工业自动化和电机控制应用中，该MOSFET可用于控制大功率负载，确保系统的高效运行。此外，STB28NM50N也可用于汽车电子系统、太阳能逆变器和UPS不间断电源等高要求的应用场景。