时间：2025/7/23 0:01:21
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STB24NM65N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高电压和高电流的电力电子设备中。该MOSFET具有低导通电阻、高击穿电压以及出色的热性能，适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池充电器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：24A
最大漏-源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω
栅极电荷（Qg）：34nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
STB24NM65N具备一系列优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高击穿电压（650V）确保了器件在高压环境下稳定工作，同时具备良好的抗过载能力。其次，低导通电阻（RDS(on)为0.18Ω）有效降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg为34nC）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。在热管理方面，STB24NM65N采用了优化的封装设计，具备良好的散热能力，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。该器件还具有出色的短路耐受能力，进一步增强了系统的可靠性。由于其高耐用性和高效能，STB24NM65N非常适合用于对可靠性和效率要求较高的工业级应用。
STB24NM65N主要应用于需要高电压和高电流处理能力的场合。其典型应用包括电源转换器（如AC-DC和DC-DC转换器）、电机驱动系统、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电器）。由于其优异的导通性能和热管理能力，该器件也可用于高效率电源适配器、LED照明驱动器以及家用电器中的电机控制模块。
STB24NM65N
