时间：2025/7/23 1:24:04
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STB24N60DM2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术制造。这款器件设计用于高效率、高频率开关应用，具备优异的导通电阻和开关性能。其额定电压为600V，连续漏极电流为24A，适合用于电源转换、电机控制、照明系统以及各种功率管理领域。STB24N60DM2采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：24A
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：0.25Ω
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220AB
STB24N60DM2采用了STMicroelectronics的StripFET?技术，这种先进的制造工艺显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的Rds(on)最大值为0.25Ω，确保在高负载条件下仍能保持较低的功耗。此外，STB24N60DM2具备快速开关特性，适用于高频操作，从而减小了外部滤波元件的尺寸并提高了系统响应速度。
该MOSFET的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路，便于设计和集成。STB24N60DM2还内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件在恶劣环境下的可靠性。
该器件的另一个重要特性是具有高雪崩能量耐受能力，能够在突发的过电压条件下保持稳定运行，从而延长了设备的使用寿命。STB24N60DM2还具有优异的热稳定性，能够防止因过热而导致的性能下降或损坏。
STB24N60DM2广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、照明控制系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备。由于其高效率和高频率特性，STB24N60DM2特别适合用于需要紧凑设计和高能效的电源管理解决方案。
在开关电源中，STB24N60DM2作为主开关器件，能够实现高效的能量转换，减少发热并提高整体系统稳定性。在电机控制应用中，它可作为功率开关，用于调节电机的速度和扭矩。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，确保电池的安全和高效运行。
在照明领域，STB24N60DM2可用于LED驱动器的设计，提供稳定的电流输出和高效的能量转换，满足现代照明系统对节能和长寿命的需求。
STB20N60DM2, STB28N60DM2, STF24N60DM2
