STB20NM50FDT4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的STripFET? F5技术制造。该器件专为高电压和高效率应用设计,适用于如电源转换器、电机控制、工业自动化以及各种需要高可靠性和高性能的电子系统。STB20NM50FDT4 采用节能的D2PAK封装,支持表面贴装安装,便于在高功率密度设计中使用。该MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和优异的热性能,使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):20A
最大漏源电压(VDS):500V
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(最大)
栅极阈值电压(VGS(th)):3V @ 250μA
功率耗散(Ptot):62W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:D2PAK
引脚数:3
技术:STripFET? F5
STB20NM50FDT4 采用了STMicroelectronics的先进STripFET? F5技术,具有优异的导通和开关性能,特别适用于高电压功率转换应用。该器件的一个关键特性是其低导通电阻(Rds(on))为0.22Ω,这显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。同时,该MOSFET具有高达500V的漏源击穿电压,适用于中高功率电源系统。
STB20NM50FDT4 的栅极阈值电压为3V,在250μA条件下的阈值稳定性良好,确保了可靠的开关控制。此外,其D2PAK封装提供了良好的散热能力,使得在高负载条件下仍能维持较低的结温,增强了器件的长期可靠性。该封装还支持表面贴装工艺,便于现代自动化制造流程。
在热性能方面,STB20NM50FDT4 的额定功率耗散为62W,工作温度范围宽达-55°C至+150°C,能够在极端环境条件下稳定工作。其内部结构优化设计降低了热阻,有助于提高系统稳定性并延长器件寿命。此外,该MOSFET具有高抗雪崩能力,适用于可能出现瞬态过电压或高能脉冲的场合。
该器件还具备出色的开关性能,具有较低的输入电容(Ciss)和快速的开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。其低栅极电荷(Qg)进一步降低了驱动损耗,提高了动态响应性能。
STB20NM50FDT4 主要用于需要高电压、高效率和高可靠性的功率电子系统。其典型应用包括开关电源(SMPS)、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机控制和驱动电路、工业自动化设备以及高功率LED照明系统等。在家电领域,该器件也可用于变频空调、洗衣机等电机驱动模块。此外,STB20NM50FDT4 适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电动车充电设备等新能源应用领域,其高耐压能力和优异的导通性能能够有效提升系统效率和稳定性。
STP20NK50Z, FQA20N50C, IRFBG20, STD20NM50N