STB20NM50FDT4 时间：2025/7/22 16:17:26 阅读：10

STB20NM50FDT4 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的STripFET? F5技术制造。该器件专为高电压和高效率应用设计，适用于如电源转换器、电机控制、工业自动化以及各种需要高可靠性和高性能的电子系统。STB20NM50FDT4 采用节能的D2PAK封装，支持表面贴装安装，便于在高功率密度设计中使用。该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高击穿电压和优异的热性能，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3V @ 250μA
　　功率耗散（Ptot）：62W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：D2PAK
　　引脚数：3
　　技术：STripFET? F5

特性

STB20NM50FDT4 采用了STMicroelectronics的先进STripFET? F5技术，具有优异的导通和开关性能，特别适用于高电压功率转换应用。该器件的一个关键特性是其低导通电阻（Rds(on)）为0.22Ω，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。同时，该MOSFET具有高达500V的漏源击穿电压，适用于中高功率电源系统。
　　STB20NM50FDT4 的栅极阈值电压为3V，在250μA条件下的阈值稳定性良好，确保了可靠的开关控制。此外，其D2PAK封装提供了良好的散热能力，使得在高负载条件下仍能维持较低的结温，增强了器件的长期可靠性。该封装还支持表面贴装工艺，便于现代自动化制造流程。
　　在热性能方面，STB20NM50FDT4 的额定功率耗散为62W，工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下稳定工作。其内部结构优化设计降低了热阻，有助于提高系统稳定性并延长器件寿命。此外，该MOSFET具有高抗雪崩能力，适用于可能出现瞬态过电压或高能脉冲的场合。
　　该器件还具备出色的开关性能，具有较低的输入电容（Ciss）和快速的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。其低栅极电荷（Qg）进一步降低了驱动损耗，提高了动态响应性能。

应用

STB20NM50FDT4 主要用于需要高电压、高效率和高可靠性的功率电子系统。其典型应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机控制和驱动电路、工业自动化设备以及高功率LED照明系统等。在家电领域，该器件也可用于变频空调、洗衣机等电机驱动模块。此外，STB20NM50FDT4 适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动车充电设备等新能源应用领域，其高耐压能力和优异的导通性能能够有效提升系统效率和稳定性。