STB20NK50是一款N沟道增强型功率MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)生产。这款MOSFET具有高耐压、大电流和低导通电阻的特点,适用于多种功率电子设备,如电源转换器、马达控制器和照明系统等。STB20NK50采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于需要高可靠性和高效率的电路设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):500V
漏极电流(ID):20A
导通电阻(RDS(on)):0.22Ω
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
STB20NK50具有优异的电气性能和热稳定性,使其在高功率应用中表现出色。其高耐压能力(500V)和大电流承载能力(20A)使其适用于各种高电压和高功率电路。导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高整体效率。此外,该器件具有快速开关特性,适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和逆变器。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还简化了PCB布局和安装过程。该MOSFET的可靠性和耐用性使其成为工业控制、家电和照明系统的理想选择。
STB20NK50的栅极驱动特性也十分出色,能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作,确保器件在不同工作条件下都能保持良好的性能。其±20V的栅极电压容限提供了更高的设计灵活性,降低了栅极驱动电路的设计难度。此外,该器件具有较低的漏电流,在关断状态下能够有效减少静态功耗,提高系统的整体能效。由于其优良的短路耐受能力和热保护特性,STB20NK50能够在严苛的工作环境中保持稳定运行,延长设备的使用寿命。
STB20NK50广泛应用于各种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、马达控制器、照明系统和工业自动化设备。其高耐压和大电流特性使其在高功率电源管理应用中尤为适用。此外,该器件也常用于家电中的功率控制电路,如变频空调、洗衣机和微波炉等。在新能源领域,STB20NK50可用于太阳能逆变器和电动汽车的电源管理系统,提供高效、可靠的功率控制解决方案。由于其优异的热稳定性和可靠性,该器件在工业控制系统中也得到了广泛应用,如PLC、伺服驱动器和自动化设备等。
STB20NK50Z STF20NK50Z STD20NK50Z