时间：2025/6/12 14:35:53
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STB200NF04L 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于多种开关电源、电机驱动和其他功率转换应用。其额定电压为 40V，能够处理高达 200A 的电流，适合需要高性能和可靠性的工业及消费类电子产品。
STB200NF04L 的封装形式为 TO-264，这种封装形式具备良好的散热性能和电气连接性，便于在各种电路中使用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：38nC
开关时间：典型值 t_on=9ns，t_off=27ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-264
STB200NF04L 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高峰值电流能力，确保在短时负载突变或启动阶段的稳定性。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗，特别适合高频应用。
4. 内置反向二极管，简化电路设计并提供额外保护功能。
5. 良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下长时间运行。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
STB200NF04L 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 各种类型的电机驱动，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 电动车辆中的功率逆变器和电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED 照明驱动器和高效能电子负载模拟器。
6. 通信电源和不间断电源 (UPS) 系统。
STB210NF04L, IRFZ44N, FDP18N40
