时间：2025/5/29 0:40:58
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STB19NF20是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效能功率开关的应用中。
这款MOSFET以高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性著称，适合在高频条件下工作，同时能够满足严格的热管理要求。
最大漏源电压：200V
最大连续漏极电流：19A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：26nC
总电容：108pF
开关时间：ton=43ns, toff=30ns
功耗：315W
结温范围：-55℃至175℃
STB19NF20具备出色的电气性能和可靠性：
1. 高耐压能力：200V的漏源击穿电压使其能够在高压环境中稳定运行。
2. 低导通电阻：仅75mΩ的RDS(on)确保了较低的传导损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关：短开关时间和低栅极电荷使得其适用于高频应用，减少了开关损耗。
4. 热稳定性：支持高达175℃的结温范围，适应苛刻的工作环境。
5. 小巧封装：TO-220封装便于安装与散热设计，简化了PCB布局。
STB19NF20广泛应用于多种领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 电机驱动电路
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 汽车电子系统中的负载切换
其高性能和可靠性使其成为上述应用场景的理想选择。
IRFZ44N
STP19NF06L
FDP19N20
IXFN20N20C
