时间：2025/5/10 14:17:22
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STB190NF04T4 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沃特（N-Channel）MOSFET 功率晶体管。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
STB190NF04T4 的封装形式为 TO-220 Fullpak，这种封装能够提供良好的散热性能，适合中高功率的应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：190A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：76nC
最大功耗：300W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
STB190NF04T4 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），使其在导通状态下产生的功率损耗非常小，从而提高了整体效率。
2. 高额定电流能力（190A），可以满足大电流应用的需求。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗并提高工作效率。
4. 采用了 TO-220 Fullpak 封装，这种封装形式提供了优秀的散热性能，并且便于安装和使用。
5. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 175℃），使其能够在恶劣环境下可靠运行。
6. 内置反向二极管，进一步增强了器件的性能和适用性。
STB190NF04T4 广泛应用于各种需要高效功率管理的领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制器件。
3. 各类 DC-DC 转换器和逆变器的核心组件。
4. 电动汽车及混合动力汽车的动力系统。
5. 工业自动化设备中的功率模块。
6. 大功率 LED 照明系统的驱动电路。
其出色的性能使得该器件成为许多高性能功率转换和控制应用的理想选择。
STB180NF04T4, IRF2807ZPBF
