STB18NM60N 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高功率开关电路中。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、照明系统等多种高功率应用场合。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):连续18A(Tc=25℃)
导通电阻(Rds On):最大0.25Ω(在Vgs=10V时)
栅极电压(Vgs):±30V
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220FP
STB18NM60N MOSFET采用了STMicroelectronics的专有技术,确保了其在高电压和高电流条件下的稳定运行。该器件的最大漏源电压为600V,适合用于需要高压处理能力的电路中。其导通电阻Rds(on)最大为0.25Ω,在Vgs=10V的条件下,有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该MOSFET的漏极电流额定值为18A,能够承受较大的负载电流,适合用于高功率应用场景。
该器件还具备良好的热管理能力,封装形式为TO-220FP,散热性能优越,能够在较高功率条件下保持较低的温度。其栅极电压范围为±30V,具有较强的抗干扰能力,保证了器件在复杂电磁环境中的稳定运行。同时,该MOSFET的功耗为125W,可以在较高的工作温度下保持可靠运行。工作温度范围从-55℃到+150℃,适应了广泛的工业应用环境。
STB18NM60N还具有快速开关特性,减少了开关过程中的能量损耗,提高了系统效率。此外,其高耐用性和稳定性使其成为工业自动化、电源管理和电机控制等应用的理想选择。
STB18NM60N 主要应用于高功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电动工具、电机驱动器、LED照明系统以及工业自动化控制系统。其高压和高电流处理能力,使其在需要高效能功率转换的场合表现出色。此外,它也可用于汽车电子系统、充电器和逆变器等高功率设备中。
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