时间：2025/7/22 22:54:53
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STB18NM60N 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电路中。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、照明系统等多种高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：连续18A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds On)：最大0.25Ω（在Vgs=10V时）
栅极电压(Vgs)：±30V
功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220FP
STB18NM60N MOSFET采用了STMicroelectronics的专有技术，确保了其在高电压和高电流条件下的稳定运行。该器件的最大漏源电压为600V，适合用于需要高压处理能力的电路中。其导通电阻Rds(on)最大为0.25Ω，在Vgs=10V的条件下，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET的漏极电流额定值为18A，能够承受较大的负载电流，适合用于高功率应用场景。
该器件还具备良好的热管理能力，封装形式为TO-220FP，散热性能优越，能够在较高功率条件下保持较低的温度。其栅极电压范围为±30V，具有较强的抗干扰能力，保证了器件在复杂电磁环境中的稳定运行。同时，该MOSFET的功耗为125W，可以在较高的工作温度下保持可靠运行。工作温度范围从-55℃到+150℃，适应了广泛的工业应用环境。
STB18NM60N还具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统效率。此外，其高耐用性和稳定性使其成为工业自动化、电源管理和电机控制等应用的理想选择。
STB18NM60N 主要应用于高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电动工具、电机驱动器、LED照明系统以及工业自动化控制系统。其高压和高电流处理能力，使其在需要高效能功率转换的场合表现出色。此外，它也可用于汽车电子系统、充电器和逆变器等高功率设备中。
STP18NM60ND, FQA18N60C, IRFBC30, STB19NM60N
