时间：2025/7/22 10:16:01
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STB150N3LH6 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用而设计，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电动工具、电机驱动系统以及工业自动化设备中。STB150N3LH6采用PowerFLAT 5x6 HV封装，具备良好的热管理和空间利用率，适用于需要高可靠性和高性能的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V驱动电压为1.25mΩ（最大值）
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 HV
功率耗散（Ptot）：180W
STB150N3LH6 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中实现更低的导通损耗，从而提高整体效率。该MOSFET采用ST先进的沟槽栅技术，优化了导通性能和开关速度之间的平衡，适用于高频开关应用。此外，其高电流承载能力和优异的热性能使其在高功率密度系统中表现出色。PowerFLAT 5x6 HV封装提供了良好的热管理能力，有助于降低系统温度，提高长期可靠性。该器件还内置了防静电保护（ESD）结构，增强了在复杂电磁环境中的稳定性。由于其低Qg（栅极电荷）和Qrr（反向恢复电荷），该MOSFET在高频开关应用中可显著降低开关损耗，提高能效。此外，其高雪崩能量耐受能力使其适用于高应力开关条件下的应用。
STB150N3LH6还具备出色的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的过载电流，适用于电机驱动、逆变器等需要高可靠性的应用场合。该器件的引脚设计支持PCB布局优化，有助于减少寄生电感，提高系统稳定性。此外，该MOSFET具有良好的抗干扰能力，适合用于工业自动化、车载电子、通信设备等对EMI（电磁干扰）敏感的应用场景。
STB150N3LH6 主要用于高功率、高效率的电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器、电动工具、无人机动力系统以及工业自动化设备。其优异的导通特性和高频开关能力使其成为开关电源（SMPS）、数字电源、服务器电源、电信电源、工业控制模块等应用的理想选择。此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器、电机控制器等，满足汽车电子对高可靠性和高温耐受性的严苛要求。
IPB150N04NG4S-01, BSC090N03MS, BSC120N03MS, BSC080N03MS, BSC070N03MS
