STB14NK50Z-1 时间：2025/7/23 7:40:57 阅读：9

STB14NK50Z-1 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率 N 沟道 MOSFET，广泛用于需要高效能和高耐压能力的电源管理应用中。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻、高击穿电压以及出色的热稳定性，适用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STB14NK50Z-1 具备多项优异特性，使其在多种高功率应用中表现卓越。首先，其漏源电压高达 500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换系统。其次，导通电阻仅为 0.38Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 采用 TO-220FP 封装，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。
　　该器件的栅源电压范围为 ±30V，提供了更高的驱动灵活性和稳定性。连续漏极电流为 14A，足以应对中高功率负载需求。STB14NK50Z-1 还具备出色的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持可靠运行，提高了系统的耐用性和安全性。
　　此外，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。其热阻较低，有助于提高热管理效率，延长器件寿命。

应用

STB14NK50Z-1 主要应用于需要高耐压和高效能的电力电子系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机控制、照明驱动器以及工业自动化设备。此外，该器件也广泛用于家用电器、电动工具、不间断电源（UPS）及各种高功率电池管理系统中。
　　在开关电源设计中，STB14NK50Z-1 能够有效降低开关损耗，提高整体转换效率，适用于反激式、正激式等多种拓扑结构。在电机控制应用中，该器件能够提供稳定的电流输出，确保电机运行的平稳性和效率。同时，其高击穿电压特性也使其适用于高压照明系统，如 HID 灯驱动器等。