STB140NF55T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。STB140NF55T4 的额定电压为 55V,适合用于需要高效能和高可靠性的应用中。
这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。其紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:140A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷:72nC
输入电容:3080pF
总功耗:250W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PowerGaN6
STB140NF55T4 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的耐用性。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
6. 提供强大的电流承载能力,支持大功率应用需求。
STB140NF55T4 的主要应用领域包括:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 工业电机驱动
4. 电动车和混合动力车中的电力管理系统
5. 通信电源
6. 太阳能逆变器
7. 各类负载开关和保护电路
STB160NF55T4
IRLB8729PBF
FDP15N50