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STB140NF55T4 发布时间 时间:2025/6/30 18:41:09 查看 阅读:6

STB140NF55T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。STB140NF55T4 的额定电压为 55V,适合用于需要高效能和高可靠性的应用中。
  这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等电路中。其紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:140A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷:72nC
  输入电容:3080pF
  总功耗:250W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:PowerGaN6

特性

STB140NF55T4 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的耐用性。
  4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下的可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
  6. 提供强大的电流承载能力,支持大功率应用需求。

应用

STB140NF55T4 的主要应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 工业电机驱动
  4. 电动车和混合动力车中的电力管理系统
  5. 通信电源
  6. 太阳能逆变器
  7. 各类负载开关和保护电路

替代型号

STB160NF55T4
  IRLB8729PBF
  FDP15N50

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STB140NF55T4参数

  • 其它有关文件STB140NF55 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs142nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5300pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-4321-6