时间：2025/4/30 8:55:18
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STB120NF10T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。这款器件主要应用于高功率开关电路中，例如电源适配器、电机驱动、DC/DC转换器和负载开关等场景。该MOSFET以其低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力和良好的热性能而著称，适合需要高效能和低损耗的应用环境。
STB120NF10T4 的额定电压为100V，最大连续漏极电流可达120A（在特定工作条件下），并且具有快速开关速度，能够显著降低开关损耗。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：120A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：89nC（典型值）
输入电容：4250pF（典型值）
反向恢复时间：60ns（典型值）
功耗：约100W（取决于具体应用条件）
结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力（120A），使其适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，减少了开关过程中的能量损失。
4. 具备优异的热性能，能够有效散热，确保长期稳定运行。
5. 采用了坚固耐用的设计，能够在恶劣环境下保持可靠的工作状态。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品设计中。
7. 可承受较高的雪崩能量，增强了器件的鲁棒性和安全性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 用于电机驱动控制的功率级组件。
3. DC/DC转换器中的同步整流或降压/升压开关。
4. 负载开关和保护电路中的功率开关。
5. 工业设备中的功率转换模块。
6. 新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车充电装置等的功率管理部分。
IRFP260N, STP120N10F5, FDP160N10A
