时间：2025/7/23 8:50:51
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STB11NM80是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件专为高电压和高功率应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源保护等应用领域。STB11NM80采用TO-220封装，具备良好的热性能和耐用性，适合在工业环境和高要求的应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：800V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：11A
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大值）
栅极电荷（QG）：45nC
输入电容（Ciss）：1300pF
STB11NM80具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件具有800V的高漏源击穿电压，使其能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和转换器设计。其次，其导通电阻最大为0.65Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流处理能力，额定连续漏极电流为11A，适合用于中高功率的负载切换和控制。
STB11NM80的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够有效降低器件的工作温度，提高可靠性。该器件的栅极电荷为45nC，输入电容为1300pF，使其在高频开关应用中具备较好的响应能力。此外，其栅源电压范围为±30V，使其在驱动电路设计中具有一定的灵活性。
该MOSFET还具备较高的耐用性和稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种严苛的工业环境。这些特性使得STB11NM80成为一款适用于多种高功率应用的可靠选择。
STB11NM80广泛应用于各种高电压和高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的负载开关和电源保护电路。此外，该器件还可用于逆变器、UPS（不间断电源）系统和电动工具的功率控制模块。
STB12NM80T4, STP12NM80T4, STP11NM80T4, FQA13N80C
