时间：2025/5/24 14:17:14
阅读：5
STB100NF04T4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，适用于多种高效率开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。STB100NF04T4具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力，能够满足现代电子设备对高效能和紧凑设计的需求。
这款MOSFET主要设计用于需要高性能、低损耗的电路中。其出色的电气特性使其成为许多工业和消费类应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：100A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：25nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装类型：TO-263
STB100NF04T4具备低导通电阻的特点，这有助于降低功率损耗并提高整体效率。此外，它还具有非常低的栅极电荷，使得开关损耗得以减少，从而提升高频应用中的性能。
器件采用TO-263封装，这种封装形式不仅便于安装，而且提供了良好的散热性能。其额定工作温度范围广泛，能够在极端条件下稳定运行。
此外，STB100NF04T4的快速开关特性使得它非常适合于高频开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及其他要求快速响应的应用场景。
STB100NF04T4广泛应用于各类功率转换和控制电路中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（Switching Power Supplies）
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 负载切换电路
- 太阳能逆变器
- 工业自动化系统中的功率管理模块
由于其卓越的电气性能和可靠性，STB100NF04T4在上述应用中表现出色，同时也可以作为其他类似规格MOSFET的替代品。
STP100NF04,
IRF840,
FDP150AN,
IXYS GES100N04LF
