STB100NF04是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装。这款器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。其耐压能力为40V,能够满足工业、消费类电子及汽车应用中的高效能需求。
型号:STB100NF04
封装:TO-220
VDS(漏源极电压):40V
RDS(on)(导通电阻):3.8mΩ(典型值,VGS=10V时)
ID(连续漏极电流):100A
fQSW(开关频率):500kHz
功耗:72W(最大值,结温25°C时)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
STB100NF04具有以下特点:
1. 极低的导通电阻RDS(on),可有效降低传导损耗。
2. 高额定电流,支持高达100A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,适合高频应用。
4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 优化的封装设计有助于散热性能的提升。
6. 符合RoHS标准,环保且安全。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC/DC适配器和充电器。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. LED照明驱动电路。
6. 电池保护和管理系统。
IRLB8721, FDP16N10E, SI4479DY