STA8089FGBDTR 时间：2025/6/26 13:58:14 阅读：4

STA8089FGBDTR 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能汽车级功率MOSFET，采用TOLL封装形式。该器件属于AEC-Q101认证的汽车应用级别产品，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于车载电源管理、电机驱动和其他高可靠性需求场景。
　　该器件基于先进的制造工艺，能够提供高效能表现和稳定的运行特性，特别适合在高温、高压等苛刻环境下工作。

参数

型号：STA8089FGBDTR
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　VDS（漏源电压）：60V
　　RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，@ VGS=10V）
　　IDS（连续漏极电流）：234A（@ 25°C）
　　功耗：270W（最大值）
　　封装形式：TOLL
　　工作温度范围：-40°C 至 +175°C
　　Qg（栅极电荷）：75nC（典型值）
　　EAS（雪崩能量）：2.2mJ（典型值）

特性

STA8089FGBDTR具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高电流承载能力，可支持高达234A的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
　　3. 宽泛的工作温度范围（-40°C至+175°C），确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
　　4. 符合AEC-Q101标准，满足汽车电子的严苛要求。
　　5. TOLL封装设计，具有更好的热性能和电气连接性。
　　6. 栅极电荷较低，可以有效降低开关损耗，提高开关频率。
　　7. 内置反向二极管，支持高效的续流功能。

应用

STA8089FGBDTR广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子系统中的电机驱动，如电动车窗、座椅调节和雨刷控制等。
　　2. 车载充电器和DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
　　4. 大功率LED驱动器和逆变器中的关键组件。
　　5. 电池管理系统（BMS）中涉及的大电流充放电控制。
　　6. 其他需要高可靠性、低损耗功率开关的应用场景。