STA1060N1TX 时间：2025/5/29 21:52:53 阅读：5

STA1060N1TX是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。它广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的场合。
　　STA1060N1TX采用TO-220封装形式，便于散热和安装，同时具备较高的电流承载能力和耐压能力，适用于工业和消费类电子设备中的多种应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：85A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：47nC
　　开关时间：ton=90ns, toff=45ns
　　结温范围：-55℃至175℃

特性

STA1060N1TX具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
　　2. 高电流承载能力，能够满足大功率应用的需求。
　　3. 快速开关特性，适合高频开关电源和逆变器设计。
　　4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
　　5. 可靠的短路保护功能，增强系统的安全性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

STA1060N1TX适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
　　2. 电机控制和驱动电路，例如无刷直流电机和步进电机。
　　3. 工业设备中的负载切换和保护。
　　4. 汽车电子系统中的功率管理模块。
　　5. 充电器和适配器设计中的功率级组件。
　　6. LED驱动器和其他需要高效功率处理的应用。