时间：2025/7/4 22:08:50
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ST7VFBN162 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高压垂直 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺技术设计，适用于需要高效率和高性能的应用场景。它具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，非常适合用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。
这款 MOSFET 的额定电压为 700V，能够承受较高的漏源极电压，从而在高电压环境中保持稳定运行。同时，其优化的封装形式有助于提高散热效果并简化系统设计。
最大漏源电压：700V
最大栅源电压：±20V
持续漏电流：1.5A
导通电阻（典型值）：4.5Ω
总功耗：36W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220AC
ST7VFBN162 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高电压应用环境。
2. 极低的导通电阻，可以有效减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，提升高频应用中的表现。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
5. 内置雪崩保护功能，增强器件在异常条件下的耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
ST7VFBN162 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器电路。
3. 电磁阀和继电器驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED 照明驱动和家用电器中的功率调节单元。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换部分。
STP70NF7N, IRF7414, FDP18N70C
