ST4M350V 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款功率MOSFET晶体管,采用N沟道增强型技术,适用于高功率开关和电源管理应用。该器件设计用于高效能的电源转换系统,如DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器以及各种工业控制设备。ST4M350V以其低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能而著称,适合需要高可靠性和高性能的应用场景。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:4A
最大漏-源电压:350V
导通电阻(Rds(on)):典型值2.5Ω
栅极阈值电压:2V~4V
工作温度范围:-55°C~150°C
封装形式:TO-220
ST4M350V 具备多项优异的电气和热性能,确保其在严苛环境下的稳定运行。首先,其低导通电阻(Rds(on))可降低导通损耗,提高整体系统效率。其次,高达350V的漏-源电压使其适用于高电压应用,能够承受瞬时高压冲击。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,结合其TO-220封装结构,能够有效散热,避免过热损坏。栅极阈值电压范围适中,便于驱动电路设计,确保快速开关动作,减少开关损耗。ST4M350V还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了其在高能脉冲环境中的可靠性。
在可靠性方面,ST4M350V采用高质量的硅片和封装材料,具有较强的抗干扰能力和长寿命。其封装设计符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提高了系统的安全性和稳定性。
ST4M350V 适用于多种高电压、中等功率的电子系统,广泛应用于工业自动化控制、电源管理系统、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制以及照明系统。例如,在开关电源设计中,ST4M350V可作为主开关器件,实现高效的能量转换;在电机驱动系统中,可用于控制直流电机的速度和方向;在太阳能逆变器中,该MOSFET可作为功率开关元件,实现直流电向交流电的高效转换。此外,ST4M350V还可用于电池管理系统(BMS),实现对电池充放电过程的精确控制,确保电池安全运行。
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"STP4NK50Z",
"IRF840",
"STP4N50V",
"STP4N350V"
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