ST4425 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的双路N沟道功率MOSFET驱动器芯片,主要用于驱动高功率MOSFET或IGBT器件。该芯片设计用于半桥或全桥拓扑结构中的应用,如DC-DC转换器、电机控制、电源管理、逆变器和UPS系统等。ST4425具有高驱动能力、宽工作电压范围和内置的欠压锁定保护功能,适用于高效率、高可靠性的电源系统。
类型:MOSFET驱动器
拓扑结构:半桥驱动器
通道数:2通道(双路)
工作电压范围:9.5V 至 20V
输出电流(峰值):±1.4A
传播延迟:约120ns
输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
封装形式:DIP-8、SO-8
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
ST4425 是一款高效能的功率MOSFET驱动器,具备出色的驱动能力和稳定性。其主要特性包括:
1. 高驱动能力:ST4425的输出驱动电流峰值可达±1.4A,能够快速有效地驱动高栅极电荷的功率MOSFET和IGBT器件,从而减少开关损耗并提高系统效率。
2. 宽输入电压范围:其工作电压范围为9.5V至20V,适用于多种电源架构,支持不同的栅极驱动电压需求,确保了在不同应用场景下的稳定运行。
3. 双路输出配置:该芯片集成了两个独立的驱动通道,分别用于上桥臂和下桥臂的MOSFET驱动,适用于半桥拓扑结构,能够实现高效的同步整流和PWM控制。
4. 欠压锁定保护(UVLO):当电源电压低于设定阈值时,驱动器会自动关闭输出,防止MOSFET在非安全电压下工作,从而提高系统的可靠性。
5. 低传播延迟:ST4425的典型传播延迟约为120ns,具有较快的响应速度,适合高频开关应用,有助于减少开关损耗并提高系统动态响应能力。
6. TTL/CMOS输入兼容:输入信号兼容标准的TTL和CMOS逻辑电平,便于与各种控制器(如MCU或PWM控制器)连接,简化系统设计。
7. 高抗干扰能力:芯片内部设计有良好的抗干扰措施,确保在高噪声环境下仍能稳定工作。
8. 封装多样:ST4425提供DIP-8和SO-8两种常见封装形式,适用于不同的PCB布局需求,便于焊接和维护。
ST4425 主要应用于需要高效MOSFET驱动的电源系统中,包括:
1. DC-DC转换器:在隔离式或非隔离式DC-DC变换器中,用于驱动上下桥臂MOSFET,实现高效能量转换。
2. 电机驱动系统:在直流无刷电机、步进电机或伺服电机控制系统中,作为MOSFET驱动器,实现精确的PWM控制。
3. 电源逆变器:在太阳能逆变器、UPS不间断电源、车载逆变器等设备中,用于驱动功率桥式电路中的MOSFET或IGBT。
4. 电池管理系统(BMS):在高功率电池充放电管理系统中,用于驱动功率开关器件,实现高效能量管理。
5. 电机控制器:适用于工业自动化、电动工具、电动车等需要大功率MOSFET驱动的场合。
6. 开关电源(SMPS):在各种AC-DC电源模块中,作为MOSFET驱动器使用,提高电源效率和稳定性。
7. 工业自动化设备:如PLC、变频器、伺服驱动器等设备中,用于功率器件的驱动和控制。
IR2110, TC4425, FAN7380, NCP5101, MIC4425