时间:2025/12/28 12:21:18
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ST36N06是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高集成度、低成本的交流-直流(AC-DC)离线式电源控制器,专为低功率待机电源和辅助电源应用设计。该器件采用电流模式脉宽调制(PWM)控制架构,内置高压启动电路和源极连接的MOSFET,能够在无需外部启动电阻的情况下实现快速启动。ST36N06特别适用于要求高能效、低待机功耗和紧凑型设计的应用场景。其封装形式为DIP-8或SOP-8,便于在各种电源拓扑中使用,如反激式转换器(Flyback Converter)。
该芯片集成了多种保护功能,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)以及前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB),以提升系统在各种异常工作条件下的可靠性和安全性。此外,ST36N06具备频率抖动功能,有助于降低电磁干扰(EMI),从而简化EMI滤波器的设计并降低整体系统成本。由于其高度集成的特性,ST36N06可显著减少外围元器件数量,提高电源系统的可靠性并缩小PCB面积。
型号:ST36N06
制造商:STMicroelectronics
封装类型:DIP-8, SOP-8
工作电压范围:10.5 V ~ 22 V
启动电压:约9.5 V
最大开关频率:65 kHz
反馈控制类型:电流模式PWM
内置MOSFET耐压:650 V
典型空载功耗:< 30 mW
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
引脚数:8
保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)、前沿消避(LEB)
调制方式:固定频率PWM,带频率抖动
启动时间:典型值 < 1 s
最小导通时间:典型值 2 μs
最小关断时间:典型值 2 μs
ST36N06具备多项先进特性,使其成为低功率AC-DC电源应用中的理想选择。首先,其内置650V耐压的MOSFET大大简化了电源设计,无需外接高压晶体管,降低了系统复杂性和成本。该器件采用自供电结构,在上电后可通过变压器辅助绕组供电,同时利用内部高压电流源实现快速启动,减少了外部启动元件的需求,提高了系统效率。
其次,ST36N06采用电流模式控制,提供良好的动态响应和逐周期电流限制能力,有助于提高输出稳定性并防止变压器饱和。芯片内置前沿消隐电路,能够有效滤除MOSFET开通瞬间的电流尖峰干扰,避免误触发保护机制,从而提升系统抗噪能力和可靠性。
在节能方面,ST36N06优化了轻载和空载条件下的工作模式。在轻载时自动进入跳周期模式(Burst Mode),显著降低开关损耗和驱动损耗,实现低于30mW的空载功耗,满足全球最严格的能效标准,如Energy Star、EU CoC Tier 2等。
此外,该芯片集成了全面的保护机制。过温保护(OTP)通过检测芯片结温,在温度过高时关闭输出,防止热损坏;过压保护(OVP)监控反馈回路状态,防止输出电压失控;过载保护(OLP)则在负载异常时限制输出功率,保障系统安全。所有这些保护均具有自动恢复或锁存选项,可根据应用需求配置。
频率抖动技术是另一项关键特性,通过轻微调制开关频率来分散能量频谱,有效降低传导和辐射EMI,使设计更容易通过EMI认证测试,同时减少对额外滤波元件的依赖,进一步节省成本和空间。
ST36N06广泛应用于各类需要小功率直流电源的电子设备中,尤其适合对成本、尺寸和能效有较高要求的场合。常见应用包括家用电器中的辅助电源,如智能电视、空调、洗衣机和微波炉的待机电源模块,这些设备通常需要一个稳定的5V或12V低压电源来维持遥控接收、时钟显示或网络待机功能。
此外,该芯片也适用于工业控制设备中的小型开关电源,例如PLC模块、传感器供电单元、继电器驱动电源等。在照明领域,ST36N06可用于LED驱动电源,特别是低功率LED灯具或智能照明系统的内部控制电源。
通信设备中,如路由器、调制解调器、IP摄像头等,通常需要一个高效、可靠的辅助电源来支持待机唤醒和网络连接功能,ST36N06因其低待机功耗和高集成度而成为理想选择。
消费类电子产品如机顶盒、音响设备、充电器(非主充电路径)中的偏置电源也常采用该器件。由于其良好的EMI性能和保护功能,ST36N06还能用于医疗设备中的隔离辅助电源,满足安全和可靠性要求。
总之,凡是需要将市电(85VAC~265VAC)转换为低压直流(通常为3.3V、5V、12V)且功率在5W~15W范围内的应用,ST36N06都能提供高效、稳定且符合安规的设计方案。
VIPER16LD
TNY278
LNK306
UC28C40