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ST21B103K500CT 发布时间 时间:2025/6/4 13:16:25 查看 阅读:6

ST21B103K500CT是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等应用领域。ST21B103K500CT的主要特点是低导通电阻和高击穿电压,能够在高压条件下提供高效的功率传输,并具备良好的热性能。
  其设计目标是满足工业控制、汽车电子和消费类电子产品对高效功率管理的需求,同时通过优化的结构确保较低的功耗和较高的可靠性。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:3.4A
  导通电阻(Rds(on)):500mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关速度:快速恢复
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-220

特性

ST21B103K500CT具有以下关键特性:
  1. 高击穿电压(600V),适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻(500mΩ典型值),减少功率损耗并提升效率。
  3. 快速开关能力,适合高频开关电源和DC-DC转换器。
  4. 具备出色的热稳定性,能够在极端温度范围内正常工作。
  5. TO-220封装提供良好的散热性能,便于安装在各种PCB板上。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

ST21B103K500CT的应用场景非常广泛,主要包括以下几个方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中用于电压调节和功率传输。
  3. 各种电机驱动电路中的开关元件。
  4. 负载切换和保护电路,如电池管理系统中的开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制。
  该器件凭借其高可靠性和宽泛的工作条件,在众多工业及消费类电子应用中表现出色。

替代型号

STP12NM60,
  IRFZ44N,
  FQP17N60,
  AO3400

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ST21B103K500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.09034卷带(TR)
  • 系列ST
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容10000 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性软端子
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级,Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-