时间：2025/6/4 13:16:25
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ST21B103K500CT是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等应用领域。ST21B103K500CT的主要特点是低导通电阻和高击穿电压，能够在高压条件下提供高效的功率传输，并具备良好的热性能。
其设计目标是满足工业控制、汽车电子和消费类电子产品对高效功率管理的需求，同时通过优化的结构确保较低的功耗和较高的可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.4A
导通电阻（Rds(on)）：500mΩ
栅极电荷：27nC
开关速度：快速恢复
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
ST21B103K500CT具有以下关键特性：
1. 高击穿电压（600V），适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（500mΩ典型值），减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关能力，适合高频开关电源和DC-DC转换器。
4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度范围内正常工作。
5. TO-220封装提供良好的散热性能，便于安装在各种PCB板上。
6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
ST21B103K500CT的应用场景非常广泛，主要包括以下几个方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中用于电压调节和功率传输。
3. 各种电机驱动电路中的开关元件。
4. 负载切换和保护电路，如电池管理系统中的开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制。
该器件凭借其高可靠性和宽泛的工作条件，在众多工业及消费类电子应用中表现出色。
STP12NM60,
IRFZ44N,
FQP17N60,
AO3400
