ST2129是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高压、高频、半桥式驱动器集成电路,专为驱动功率MOSFET或IGBT等功率开关器件设计。该芯片广泛应用于DC-AC逆变器、电机控制、电源转换、LED照明和感应加热等需要高边和低边驱动能力的场合。ST2129内部集成了高边和低边驱动电路,并具备自举供电功能,能够在高达600V的高压环境下稳定工作。
工作电压范围:高端侧最高达600V,低端侧10V至20V
输出驱动能力:最大输出电流±350mA(典型值)
输入信号兼容性:TTL/CMOS电平兼容
死区时间:内部可编程死区控制(约150ns)
工作频率:支持高达1MHz的开关频率
封装类型:标准16引脚SO或DIP封装
工作温度范围:-40°C至+125°C
ST2129具备高边与低边双通道驱动能力,采用高压工艺制造,能够在高电压环境下可靠运行。其内置的死区时间控制功能可有效防止上下桥臂直通现象,从而提高系统的稳定性与安全性。此外,该芯片还集成了欠压保护(UVLO)功能,当供电电压低于安全阈值时自动关闭输出,避免功率器件误动作。ST2129具有较强的抗干扰能力,支持快速开关操作,适用于各种高频率、高效率的电源变换系统。
此外,ST2129的封装设计便于PCB布局和散热管理,适用于工业自动化、消费类电子、新能源汽车和LED驱动等应用。其高可靠性与集成化设计减少了外围元件的使用,降低了设计复杂度和成本。
ST2129广泛应用于各种需要高压、高频驱动的场合,如无刷直流电机(BLDC)驱动、功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、逆变器、UPS不间断电源、感应加热设备以及LED路灯电源等。在新能源汽车中,该芯片可用于车载充电器(OBC)和电机控制器等模块。由于其高耐压能力和灵活的输入控制方式,ST2129也非常适合用于工业自动化控制系统的功率模块驱动。
IR2110, IRS21844, L6384, NCP5101