时间：2025/7/23 13:11:45
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ST20NE20是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET器件，采用N沟道增强型结构，适用于高功率应用。该器件的额定电压为200V，最大漏极电流为20A，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：200V
连续漏极电流（ID）：20A
导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω
栅极电荷（Qg）：60nC
封装形式：TO-220
ST20NE20具备低导通电阻（RDS(on)）特性，能够降低导通损耗，提高系统效率。其高开关速度特性使其在高频应用中表现出色，例如开关电源和DC-DC转换器。此外，该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
这款MOSFET在设计上优化了热性能，确保在高电流负载下仍能保持稳定运行。其坚固的结构和高可靠性使其适用于严苛的工业环境，例如电机控制和电源管理系统。此外，ST20NE20的栅极驱动需求较低，可以简化驱动电路设计，降低整体系统成本。
ST20NE20广泛应用于高功率电子设备，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化控制系统。其低导通电阻和高开关速度特性使其在高效电源转换领域表现出色。此外，它还可用于电池充电器、太阳能逆变器和电动车电源管理系统。
IRFZ44N, FDP20N20, STP20NE20
