ST2025B 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性价比的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力,适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动、负载开关等多种功率电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):最大3.5mΩ(在Vgs=10V)
功率耗散(Ptot):300W
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
ST2025B 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低导通损耗,提高系统效率。
2. 高电流承载能力,适用于高功率密度设计,支持大电流应用。
3. 快速开关特性,减少开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
4. 高耐压能力(60V),适用于多种中低压功率应用场合。
5. 采用TO-263(D2PAK)表面贴装封装,便于自动化生产和良好的散热性能。
6. 内置体二极管,适用于续流和反向电压保护应用。
7. 热稳定性优异,可在高负载条件下保持稳定运行。
8. 符合RoHS标准,无铅环保,适用于工业级和汽车电子应用。
ST2025B 主要应用于以下领域:
1. 电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等。
2. 电机驱动和电动工具控制电路。
3. 电池管理系统(BMS),如充放电控制、保护电路等。
4. 工业自动化设备和电源分配系统。
5. 汽车电子应用,如车载充电器、起停系统、电机控制模块等。
6. 太阳能逆变器、UPS不间断电源等绿色能源系统。
7. 高功率LED驱动电路和智能照明系统。
8. 服务器电源、通信设备电源模块等高性能电源系统。
STP120N6F6AG, STP120N6F6, IRF1404, FDP120N6F6, FDP120N6FD