时间：2025/7/11 16:00:37
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ST18B473K500CT是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
ST18B473K500CT的主要特点是其低导通电阻和高电流处理能力，能够有效降低功耗并提高系统效率。此外，它具有出色的热稳定性和可靠性，适合多种工业和消费类电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：3.9mΩ
栅极电荷：75nC
开关速度：快速
封装类型：TO-263
ST18B473K500CT具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高电流处理能力，使其能够在大功率应用场景中表现优异。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。
4. 出色的热稳定性，确保在高温环境下依然保持可靠性能。
5. 小巧的TO-263封装形式，便于PCB布局和散热设计。
6. 具备良好的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的鲁棒性。
该MOSFET适用于多种电力电子场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关元件。
3. DC-DC转换器中的高效功率开关。
4. 工业自动化设备中的负载控制开关。
5. 汽车电子系统中的高电流开关应用。
6. 各种需要低导通损耗和高电流处理能力的场合。
STP50NF06, IRF540N, FDP55N06L
