时间：2025/6/14 13:38:02
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ST18B103K500CT是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用TOLL封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换和电机驱动应用。
这款MOSFET特别适合用于DC-DC转换器、开关电源、负载开关、电池管理以及电信和工业设备中的功率管理电路。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.2mΩ
总栅极电荷：96nC
输入电容：4350pF
工作结温范围：-55℃至175℃
ST18B103K500CT是一款高性能的功率MOSFET，其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，使其能够处理大功率应用。
3. 采用TOLL封装，提供出色的散热性能和电气性能。
4. 快速开关特性，减少开关损耗。
5. 能够在宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工作环境。
6. 具备较高的雪崩击穿能力和鲁棒性，增强了器件的可靠性。
这些特点使得ST18B103K500CT成为高效功率转换应用的理想选择。
ST18B103K500CT广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，用于服务器、电信设备和消费类电子产品。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器。
6. 各种需要高效功率管理和快速切换的应用场景。
STP18NF10, IRF1405Z, FDP187N10AE
