时间:2025/12/26 20:56:43
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ST180S12P0VPBF是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装肖特基二极管阵列,采用双共阴极配置,适用于高频开关电源和低压整流应用。该器件基于先进的平面技术制造,具有低正向压降和快速反向恢复特性,能够显著提高电源转换效率并减少功率损耗。其封装形式为PowerFlat 2x2小型化无铅封装,符合RoHS环保标准,并具备良好的散热性能,适合高密度PCB布局。ST180S12P0VPBF广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器、续流与箝位电路以及电池管理系统中。该器件的命名遵循ST的标准编码规则,其中‘ST’代表制造商,‘180’表示额定电流为1.8A,‘S’标识肖特基类型,‘12’代表重复峰值反向电压为120V,而‘PBF’则说明其为无铅产品。由于其优异的热稳定性和可靠性,该器件可在严苛环境条件下长期稳定运行。
类型:双共阴极肖特基二极管
峰值重复反向电压 (VRRM):120V
直流阻断电压 (VR):120V
有效正向电流 (IF RMS):3.5A
平均正向整流电流 (IF(AV)):1.8A
最大正向压降 (VF):0.53V @ 1A, 150°C
最大反向漏电流 (IR):0.1mA @ 120V, 25°C
工作结温范围 (TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围 (TSTG):-65°C 至 +150°C
封装类型:PowerFlat 2x2 (DFN2L)
引脚数:3
安装方式:表面贴装
热阻结到焊盘 (RθJL):1.7 K/W
热阻结到环境 (RθJA):80 K/W
ST180S12P0VPBF具备出色的电气性能和热管理能力,其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,在1A电流下典型值仅为0.49V,即使在高温150°C时仍能保持低于0.53V的压降水平,从而大幅降低导通损耗,提升系统整体能效。该器件的双共阴极结构设计使其非常适合用于同步整流或双通道DC-DC变换器中,能够在不增加额外空间的前提下实现两个独立整流路径的集成化布局。
其快速响应特性体现在几乎无反向恢复时间(trr),这使得它在高频开关应用中表现出色,有效抑制了开关瞬态过程中的能量反弹和电磁干扰(EMI),提升了系统的稳定性与安全性。此外,该器件对浪涌电流具有较强的承受能力,可短时承受高达30A的非重复峰值电流,增强了在启动或负载突变情况下的鲁棒性。
PowerFlat 2x2封装不仅体积小巧(仅2mm x 2mm x 0.9mm),还通过底部裸露焊盘优化了热传导路径,使结到PCB的热阻低至1.7K/W,确保高功率密度下的可靠散热。该封装兼容标准SMT工艺,便于自动化生产,并支持回流焊处理。器件符合AEC-Q101汽车级认证要求,适用于车载电源系统等对可靠性要求极高的应用场景。
ST180S12P0VPBF还具备优良的温度稳定性,正向压降随温度变化较小,且反向漏电流在高温环境下增长缓慢,保证了宽温域内的性能一致性。其无铅无卤素设计满足现代绿色电子产品的环保规范,同时机械强度高,抗振动和冲击能力强,适用于移动设备和工业控制系统。
ST180S12P0VPBF广泛应用于各类高效电源转换系统中,尤其适用于空间受限但对效率要求较高的场合。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC升压或降压模块,作为续流二极管或防反接保护元件使用。在电池供电系统中,该器件可用于电池充放电管理电路,提供低损耗的整流路径,延长续航时间。
在通信设备和网络基础设施中,该二极管常被用于隔离电源域、防止倒灌电流以及构建OR-ing电路。其高频特性也使其适用于开关模式电源(SMPS)、同步整流器和AC-DC适配器中,特别是在多相 buck 转换器中作为下管体二极管替代方案,减少开关损耗并提升转换效率。
此外,该器件还可用于汽车电子系统,例如车身控制模块、LED照明驱动电源和车载信息娱乐系统的电压调节单元。由于其具备AEC-Q101认证和宽工作温度范围,能够适应发动机舱附近的高温环境。工业控制、传感器供电、FPGA 和 DSP 的辅助电源设计也是其重要应用领域。凭借小尺寸和高性能,ST180S12P0VPBF成为现代高集成度电源架构中的理想选择。
MBR180U120CT