型号：ST180S08P1V
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：80V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：180A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：360A
　　导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ（@ VGS=10V, ID=90A）
　　导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ（@ VGS=4.5V, ID=60A）
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V（@ ID=1mA）
　　输入电容(Ciss)：10700pF（@ VDS=50V）
　　输出电容(Coss)：960pF（@ VDS=50V）
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 (5x6mm)
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　极性：增强型

ST180S08P1V采用ST成熟的沟槽栅极垂直DMOS工艺制造，这一先进制程技术显著优化了载流子迁移路径，从而大幅降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系。器件在VGS=10V时典型RDS(on)仅为4.5mΩ，在同类80V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中可显著减少I2R损耗，提高系统效率。同时，其在较低驱动电压（如4.5V）下仍能保持5.8mΩ的低导通电阻，使其兼容逻辑电平驱动电路，适用于由微控制器或专用驱动IC直接控制的应用场景。
　　该MOSFET具备出色的热性能设计，得益于PowerFLAT 5x6封装结构中的大面积铜质暴露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至内层或底层，实现优异的散热效果。这种设计允许器件在有限的散热条件下持续承载高达180A的连续漏极电流，且结温最高可达175°C，确保长期运行的可靠性。此外，器件内部结构经过优化以减少寄生电感和电容，从而提升开关速度并抑制振铃现象，有利于高频操作下的EMI控制。
　　ST180S08P1V还具备强大的鲁棒性和抗应力能力。它通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，表明其在温度循环、机械振动和电气冲击等严苛环境下仍能保持稳定性能，适合用于汽车电子系统如车载充电器、DC-DC变换器和电动助力转向（EPS）等。同时，其高雪崩耐量特性意味着在突发短路或电感负载断开时能承受一定的能量冲击而不损坏，进一步提升了系统的安全边界。所有参数均在宽温度范围内进行了验证，确保从低温启动到高温满载工况下的性能一致性。

ST180S08P1V因其高电流承载能力、低导通电阻和紧凑封装，被广泛应用于多种高性能电源系统中。在同步整流式DC-DC转换器中，它常作为主开关或同步整流管使用，尤其适用于服务器电源、电信设备和笔记本电脑适配器等需要高效能量转换的场合。其快速开关特性和低栅极电荷（Qg）使其能够在数百kHz甚至MHz级别的开关频率下运行，从而减小磁性元件体积并提升功率密度。
　　在电机驱动领域，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流无刷电机、步进电机或伺服电机，常见于工业自动化设备、电动工具和家用电器中。其高脉冲电流能力（IDM=360A）使其能够应对电机启动或堵转时的大电流冲击，而不会发生热失效。
　　此外，ST180S08P1V也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源以及电动汽车车载充电机（OBC）中的功率开关模块。在这些应用中，器件的高可靠性与宽工作温度范围至关重要。其表面贴装封装便于自动化生产，符合现代电子产品小型化和高集成度的趋势。对于需要多相并联设计的高端CPU供电VRM（电压调节模块），该MOSFET也能提供良好的均流能力和热分布表现。

IPB180N08S3-08
　　FDP180N08AL