ST173C10CFP1 时间：2025/12/26 20:17:01 阅读：18

ST173C10CFP1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，专为高频开关应用设计。该器件采用紧凑的 SOD-123FL 封装，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于需要高效率和小尺寸的应用场景。ST173C10CFP1 的命名遵循 ST 的标准二极管命名规则，其中 'ST' 表示制造商，'173' 可能代表系列或电流等级，'C' 指其为肖特基类型，'10C' 可能表示额定电压等级，'FP1' 通常表示特定封装和功率等级。该器件广泛用于电源整流、续流二极管、极性保护以及 DC-DC 转换器等电路中。得益于其小型化封装和优异的热性能，ST173C10CFP1 特别适合空间受限的便携式电子设备和高密度 PCB 布局。此外，该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，具备良好的可靠性和稳定性，在工业、消费类和通信设备中均有广泛应用。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：100V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值 850mV（在 1A 条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA（在 100V, 25°C）
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围：-65°C 至 +125°C
　　峰值脉冲电流（IFSM）：30A（8.3ms 半正弦波）
　　热阻（Rthj-case）：约 150 K/W

特性

ST173C10CFP1 具备多项关键特性，使其在同类肖特基二极管中表现出色。首先，其 100V 的反向重复电压使其能够应用于中等电压环境，例如在反激式转换器或辅助电源中作为输出整流二极管使用。相比传统硅二极管，该器件的肖特基结构显著降低了正向导通压降，典型值仅为 850mV（在 1A 电流下），从而有效减少导通损耗，提升系统整体效率。这一点在电池供电设备和节能型电源设计中尤为重要。
　　其次，ST173C10CFP1 的反向恢复时间极短（小于 4ns），几乎无反向恢复电荷，因此在高频开关条件下不会产生显著的开关损耗或电压振铃现象，有助于提高开关电源的工作频率并降低电磁干扰（EMI）。这对于现代高频 DC-DC 转换器、同步整流替代方案以及 PWM 控制电路非常有利。
　　该器件采用 SOD-123FL 封装，具有较小的外形尺寸（约 2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），同时优化了引脚设计以增强焊接可靠性和散热性能。尽管封装小巧，但仍能支持 1A 的连续正向电流和高达 30A 的峰值浪涌电流，体现出良好的电流处理能力。此外，其工作结温范围宽达 -65°C 至 +125°C，确保在极端环境温度下仍可稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　ST173C10CFP1 还具备优良的热稳定性与长期可靠性，经过严格的晶圆制造和封装测试流程，确保批次一致性。器件通过 AEC-Q101 认证的可能性较高（需查证具体数据手册），适用于对可靠性要求较高的车载电子系统。其低寄生参数设计也有助于减少高频下的寄生效应，进一步提升动态性能。总体而言，该器件结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代高效电源管理系统的理想选择之一。

应用

ST173C10CFP1 广泛应用于多种电力电子和信号处理电路中。在开关模式电源（SMPS）中，常被用作次级侧整流二极管，特别是在反激式、降压或升压拓扑结构中，利用其低正向压降和快速响应特性来提高转换效率。在 DC-DC 转换模块中，它可用于防止倒灌电流的续流路径，或作为 OR-ing 二极管实现多电源冗余切换。由于其高达 100V 的耐压能力，该器件也适用于 48V 通信电源系统或工业控制板中的中间总线电压整流。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其充电器中，ST173C10CFP1 因其小型化封装和高效性能而被广泛采用，尤其适合用于电池充放电保护电路、USB PD 快充模块以及背光驱动电路中的箝位或隔离功能。在 LED 驱动电源中，它可以作为防反接二极管或瞬态抑制元件，提升系统安全性。
　　此外，该器件还可用于逆变器、电机驱动器和 UPS 系统中的续流回路，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护主开关器件（如 MOSFET 或 IGBT）。在汽车电子领域，包括车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助电源单元中，ST173C10CFP1 可满足严苛的温度和振动要求。同时，其快速响应能力也使其适用于高频信号整流、检波电路及噪声抑制网络，拓展了其在射频和模拟前端设计中的潜在用途。