ST12VFD122 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率晶体管,主要用于汽车电子和工业控制领域。这款器件属于 STripFET FDS 系列,采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,能够提供低导通电阻和高效率的性能表现。其设计旨在满足高电流应用的需求,同时确保出色的热稳定性和可靠性。
ST12VFD122 的封装形式为 TO-220 Fullpak,这种封装方式不仅便于散热,还适合多种安装环境。该器件通常用于直流电机驱动、开关电源、负载切换以及其他需要高效功率管理的应用场景。
最大漏源电压(Vds):45V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):12mΩ
栅极-源极电压(Vgs):±20V
功耗(Pd):180W
工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-220 Fullpak
1. 采用沟槽式 MOSFET 技术,具备极低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高系统效率。
2. 支持高达 12A 的连续漏极电流,适用于大电流应用场景。
3. 具备强大的热性能,能够在高温环境下稳定运行,最高结温可达 175℃。
4. 高击穿电压(45V),确保在各种复杂电路条件下可靠工作。
5. 封装设计便于集成和散热,支持表面贴装和通孔安装方式。
6. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用需求。
1. 汽车电子中的电机驱动与控制。
2. 工业自动化设备中的负载切换。
3. 开关电源(SMPS)和 DC/DC 转换器。
4. LED 照明驱动电路。
5. 各种消费类和工业类电子产品的功率管理模块。
6. 电池保护和能量回收系统。
STP12NF06L, IRFZ44N, FDP55N20