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ST1230C12K1 发布时间 时间:2025/12/26 20:39:33 查看 阅读:13

ST1230C12K1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高精度、低功耗的模拟前端(AFE)芯片,专为工业传感器信号调理和精密测量应用而设计。该器件集成了低噪声可编程增益放大器(PGA)、高分辨率模数转换器(ADC)以及嵌入式数字处理功能,能够直接连接桥式传感器(如压力传感器、称重传感器等),实现微弱信号的采集与数字化处理。ST1230C12K1采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的温度稳定性和长期可靠性,适用于在恶劣工业环境中运行。该芯片支持多种输出模式,包括连续转换和单次转换模式,并可通过标准I2C或SPI接口与主控制器通信,便于系统集成。其封装形式为小型化QFN-16,适合空间受限的应用场景。

参数

型号:ST1230C12K1
  制造商:STMicroelectronics
  通道数量:2
  ADC分辨率:24位
  采样速率:最高80 SPS(可调)
  非线性误差(INL):±4 ppm FSR
  增益范围:1至128 V/V(可编程)
  输入参考噪声:典型值为25 nV/√Hz @ 10 Hz
  共模抑制比(CMRR):>100 dB @ 50/60 Hz
  电源电压:2.7 V 至 5.5 V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  接口类型:I2C, SPI(可选)
  封装类型:QFN-16 (3x3 mm)
  功耗:正常模式下约1.2 mA,关断模式下<1 μA

特性

ST1230C12K1的核心特性之一是其高度集成的模拟前端架构,集成了低噪声PGA和24位Σ-Δ型ADC,能够在宽动态范围内实现高精度信号采集。该芯片的可编程增益放大器支持从1到128的增益设置,允许用户根据不同的传感器输出幅度进行优化配置,从而最大化ADC的利用效率和信噪比。其内部ADC采用高性能Σ-Δ调制技术,具备出色的线性度和极低的噪声水平,在低频信号测量中表现尤为突出,适合用于检测毫伏级甚至微伏级的差分信号。
  另一个关键特性是其内置的数字滤波和校准功能。ST1230C12K1配备多阶数字陷波滤波器,可有效抑制50 Hz和60 Hz工频干扰,提升在工业环境中的抗干扰能力。同时,芯片支持片上偏移和增益校准,能够自动补偿传感器和电路板的初始误差,显著提高系统的整体测量精度。此外,该器件提供灵活的输出数据速率控制,用户可在高精度慢速测量与快速响应之间进行权衡选择。
  该芯片还具备良好的系统级集成能力。它支持I2C和SPI双通信接口,兼容大多数主流微控制器,并可通过地址引脚配置实现多个设备在同一总线上的并行操作。其低功耗设计使其适用于电池供电或远程监测系统,例如无线传感网络。内置的温度传感器可用于监控芯片自身温度,辅助实现环境温度补偿算法。所有这些特性共同使ST1230C12K1成为工业自动化、过程控制、医疗仪器和智能传感器模块中的理想选择。

应用

ST1230C12K1广泛应用于需要高精度模拟信号采集的工业和消费类电子系统中。典型应用场景包括压力变送器、称重仪表、液位传感器和力敏电阻测量系统,尤其是在使用惠斯通电桥结构的传感器信号调理电路中表现出色。其高分辨率和低噪声特性使其适用于需要微小信号放大的场合,例如医疗设备中的呼吸流量监测、血压测量仪等精密仪器。
  在工业自动化领域,该芯片可用于PLC模块、远程IO单元以及现场仪表中,作为核心信号采集单元,将来自温度、压力、应变等传感器的微弱模拟信号转换为高精度数字数据。由于其优异的温度稳定性和抗电磁干扰能力,也适合部署于高温、高湿或强电磁噪声的恶劣工业现场。
  此外,ST1230C12K1还可用于智能传感器节点和物联网(IoT)边缘设备中,配合低功耗MCU实现本地数据预处理和传输,降低主机系统的计算负担。在测试与测量设备中,如便携式数据采集仪或多通道传感器校准平台,该芯片能提供可靠的测量基准,确保长时间运行下的数据一致性与准确性。其紧凑的封装和低功耗特性也使其适用于空间受限或电池供电的应用场景。

替代型号

ADS1220
  AD7190
  LTC2485

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ST1230C12K1参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类SCR模块
  • 电流额定值1745 A
  • 开启状态 RMS 电流 (It RMS)3200 A
  • Non Repetitive On-State Current33500 A
  • 正向电流35100 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM1200 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)100 mA
  • 正向电压下降1.62 V
  • 保持电流(Ih 最大值)600 mA
  • 栅触发电压 (Vgt)3 V
  • 栅触发电流 (Igt)200 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格Chassis
  • 封装 / 箱体Case A-24
  • 电路类型SCR
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Bulk
  • 工厂包装数量2