型号：ST1200C20K1P
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：1200 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：1.8 A
　　脉冲漏极电流IDM：7.2 A
　　导通电阻RDS(on)：2.0 Ω（最大值，@VGS=10V）
　　栅极阈值电压VGS(th)：4.0 V（典型值）
　　栅源电压VGS（最大）：±20 V
　　功耗PD：60 W
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

ST1200C20K1P采用ST专有的超级结（Super Junction）MOSFET技术，这种结构通过在漂移区交替排列P型和N型柱状区域，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时维持了高击穿电压能力。这一技术使得器件在1200V高压应用中仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。特别地，其2.0Ω的RDS(on)在同类高压MOSFET中具有较强的竞争力，适合用于需要高效率和低热耗的设计场景。
　　该器件具备优异的开关性能，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化，能够在高频开关应用中减少驱动损耗和开关损耗。这对于诸如LLC谐振变换器、有源钳位反激式转换器等软开关拓扑尤为重要。此外，较低的栅极电荷（Qg）意味着所需的驱动电流更小，可兼容多种标准驱动IC，降低外围电路复杂度。
　　热稳定性方面，ST1200C20K1P的封装设计采用了铜夹连接（Copper Clip）工艺，增强了从芯片到引脚的热传导路径，有效降低热阻Rth(j-a)，提升长期运行的可靠性。即使在高环境温度下，也能确保结温处于安全范围内。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的电压过冲和瞬态能量冲击，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　该MOSFET符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101等可靠性测试，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电模块及高端服务器电源等对可靠性和效率要求极高的领域。其稳定的参数一致性也有利于大规模自动化生产中的良率控制。

ST1200C20K1P广泛应用于各类高电压、高效率的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于AC-DC开关电源的主开关管或同步整流器件，特别是在PFC（功率因数校正）升压级中表现出色，能够有效降低传导损耗并提升整机能效等级。
　　在可再生能源系统中，如光伏逆变器和储能系统，该器件可用于直流母线开关或DC-DC升压拓扑，其高耐压特性和低RDS(on)有助于实现更高的能量转换效率和系统功率密度。此外，在电动汽车相关应用中，该MOSFET可用于车载充电机（OBC）或DC-DC转换模块，满足新能源汽车对轻量化和高效能的需求。
　　在通信电源和服务器电源中，ST1200C20K1P适用于高频率工作的隔离式电源拓扑，例如反激、正激或半桥结构，其快速开关能力和良好热性能有助于减小散热器体积并提高系统集成度。同时，该器件也适用于高端电机驱动系统，尤其是需要高压供电的小功率伺服驱动或步进电机控制器。
　　由于其坚固的电气特性和宽泛的温度工作范围，该器件还可用于恶劣环境下的工业控制设备、智能电网终端设备以及铁路交通系统的辅助电源模块中，提供稳定可靠的功率开关功能。

STL120N10F7
　　STW120N10F7
　　IPB045N12N5