型号：ST110S08P0VPBF
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：110V
　　连续漏极电流（Id）：80A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8 mΩ @ Vgs = 10V, Id = 40A
　　导通电阻（Rds(on)）：10 mΩ @ Vgs = 4.5V, Id = 40A
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 3.0V，范围 2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约 7000 pF @ Vds = 25V
　　输出电容（Coss）：约 1500 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 30 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

ST110S08P0VPBF采用先进的沟槽栅工艺技术，这种结构优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。该器件在10V栅极驱动电压下，典型Rds(on)仅为8mΩ，在4.5V条件下也仅达到10mΩ，表明其即使在较低驱动电压下仍能保持良好的导通性能，兼容多种逻辑电平驱动电路，包括基于3.3V或5V的控制器。此外，该MOSFET具有高达80A的连续漏极电流能力，短时脉冲电流可达320A，适用于高瞬态负载的应用场景，如电机启动或电源浪涌保护。
　　器件的热稳定性表现优异，结温最高可达175°C，确保在高温工业环境或密闭空间内长期可靠运行。其低热阻封装设计有助于快速将热量传导至PCB，提升散热效率。PowerFLAT 5x6封装无铅且符合RoHS标准，支持回流焊工艺，适用于自动化表面贴装生产流程。该封装还具备优良的机械强度和抗湿性，增强了产品在恶劣环境下的耐用性。
　　ST110S08P0VPBF内置体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于同步整流拓扑结构。其反向恢复时间较短（典型30ns），有助于降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。输入电容约为7000pF，在高频开关应用中需合理设计驱动电路以避免过大的驱动功耗。总体而言，该器件在导通性能、电流承载能力和热管理方面实现了良好平衡，是现代高效电源系统中关键的功率开关元件之一。

ST110S08P0VPBF主要用于需要高电流、低损耗开关操作的电力电子系统中。常见应用包括大功率DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信设备电源模块以及车载电源系统中作为主开关管使用。其低导通电阻特性可有效减少转换过程中的能量损失，提高电源转换效率。在电机控制领域，该器件可用于H桥驱动电路中，控制直流电机或步进电机的正反转及调速功能，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。
　　在电池管理系统（BMS）中，ST110S08P0VPBF可用于电池充放电开关控制，提供低损耗的通路管理，同时配合保护电路实现过流、短路等故障保护。其高电流承受能力使其适用于多节锂电池组的主回路开关。此外，该器件还可用于高密度电源分配单元（PDU）、热插拔控制器以及UPS不间断电源系统中，作为负载开关或隔离开关使用，确保系统在带电状态下安全接入或断开负载。
　　在LED照明驱动电源中，尤其是大功率LED阵列供电方案中，该MOSFET可用作PWM调光开关或恒流控制开关，实现精确的光强调节。其快速开关特性和低导通压降有助于提升照明系统的响应速度和能效水平。由于其封装小巧且散热性能良好，也适合用于紧凑型电源适配器和嵌入式电源模块设计中。

IPB016N10N5

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