型号：ST110S04P1VPBF
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：110V
　　连续漏极电流(Id)：110A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：370A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ @ Vgs=10V, Id=55A
　　导通电阻(Rds(on))：4.0mΩ @ Vgs=4.5V, Id=55A
　　阈值电压(Vgs(th))：2.7V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：9800pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：540pF @ Vds=25V
　　反向传输电容(Crss)：110pF @ Vds=25V
　　总栅极电荷(Qg)：100nC @ Vgs=10V, Id=110A
　　开启延迟时间(Td(on))：12ns
　　上升时间(Tr)：35ns
　　关闭延迟时间(Td(off))：38ns
　　下降时间(Tf)：22ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

ST110S04P1VPBF采用STMicroelectronics独有的超级结（Super Junction）技术，这项技术通过在漂移区创建交替的P型和N型柱状结构，显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），同时维持较高的击穿电压能力。这种结构突破了传统平面型MOSFET在导通电阻与耐压之间的权衡限制，实现了“低Rds(on) × 面积”乘积的优化，从而提升了功率密度。该器件的典型导通电阻仅为3.2mΩ（在Vgs=10V时），这在同类110V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　在动态性能方面，ST110S04P1VPBF表现出色。其输入电容（Ciss）为9800pF，输出电容（Coss）为540pF，在高频开关应用中能够有效控制充电能量需求。总栅极电荷（Qg）仅为100nC，表明驱动电路所需提供的能量较少，有利于降低驱动损耗并简化栅极驱动设计。此外，较低的反向传输电容（Crss = 110pF）减少了米勒效应的影响，提高了器件在高速开关过程中的抗干扰能力和稳定性，避免误触发。
　　该MOSFET具备出色的热性能和可靠性。PowerFLAT 5x6封装具有低热阻特性，结到外壳的热阻（RthJC）约为0.45°C/W，使得热量可以高效地从芯片传递到PCB，支持长时间高负载运行。器件的最大工作结温高达+175°C，远高于常规MOSFET的150°C，增强了在高温环境下的安全裕度。内置的体二极管具有快速恢复特性，反向恢复电荷（Qrr）较低，进一步降低了开关过程中的能量损耗。此外，该器件经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中保持完整性，延长系统寿命。

ST110S04P1VPBF广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。其主要应用场景包括服务器和数据中心的多相VRM（电压调节模块），在这些系统中，多个MOSFET并联工作以提供大电流、低电压的CPU供电，而该器件的低导通电阻和优良热性能使其成为理想选择。此外，它还适用于通信电源系统，如48V转12V中间母线转换器（Intermediate Bus Converter, IBC），在这些应用中需要高效的DC-DC降压拓扑结构来实现能量的高效传输。
　　在工业电源领域，该器件可用于高功率AC-DC开关电源、UPS不间断电源以及工业电机驱动中的辅助电源模块。由于其支持高频开关操作，有助于减小磁性元件体积，从而实现更紧凑的设计。在电动汽车充电桩、太阳能逆变器等新能源领域，ST110S04P1VPBF也可作为同步整流器或主开关器件使用，提升整体能效指标。
　　此外，该MOSFET适用于各种同步降压变换器、半桥和全桥拓扑结构，尤其适合采用软开关技术（如LLC谐振转换器）的应用场景。其快速的开关响应时间和低栅极驱动需求，使其与现代数字控制器和PWM驱动IC兼容良好，便于构建智能、高效的电源管理系统。对于追求小型化、高可靠性和节能目标的高端电子设备而言，ST110S04P1VPBF是一个极具竞争力的功率开关解决方案。

STW110N110K5
　　IPD110N11S3L-02