时间：2025/12/26 16:48:07
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ST10080HC C2是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及工业控制等领域。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具备低导通电阻、优异的开关特性和良好的热稳定性，能够在高温和高负载条件下稳定运行。ST10080HC C2属于N沟道增强型MOSFET，封装形式为TO-220或类似的通孔封装，便于在散热要求较高的应用中使用。
该器件的设计目标是实现高效能与高性价比的平衡，适用于多种中高功率应用场景。其主要优势包括低栅极电荷、快速开关响应以及较强的抗雪崩能力，有助于提升系统整体效率并降低功耗。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。由于其出色的电气性能和可靠性，ST10080HC C2常被用于开关电源、逆变器、LED照明驱动电源以及电池管理系统等场合。
型号：ST10080HC C2
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDSS)：100V
连续漏极电流(ID)：80A
脉冲漏极电流(IDM)：320A
导通电阻(RDS(on))：8mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th))：2.5V ~ 4V
栅极电荷(Qg)：60nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：4000pF
输出电容(Coss)：950pF
反向恢复时间(trr)：45ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
ST10080HC C2具备多项先进特性，使其在同类功率MOSFET中具有显著竞争优势。首先，其极低的导通电阻RDS(on)仅为8mΩ，在高电流应用中可大幅降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。这一特性尤其适用于大电流开关电源和电机驱动电路，能够有效提升能效并延长设备寿命。其次，该器件采用了优化的沟槽栅结构设计，实现了更低的栅极电荷Qg（典型值60nC），这直接降低了驱动电路的功耗，并加快了开关速度，有利于实现高频开关操作，进一步缩小外围元件如电感和电容的体积，从而减小整体电源系统的尺寸。
此外，ST10080HC C2具有优异的热性能，其最大工作结温可达+175°C，表明其可在高温环境下长期稳定运行。配合TO-220封装良好的散热能力，即使在持续高负载工况下也能保持较低的温升。器件还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或电感负载突变时提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。其反向恢复时间trr为45ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，有助于减少换流过程中的交叉导通风险，特别适合半桥或同步整流拓扑结构。
在可靠性方面，该MOSFET通过了严格的工业级认证，具备高耐压能力和稳定的电气参数漂移控制。其栅极阈值电压范围为2.5V至4V，确保在不同驱动条件下均能可靠开启，同时避免误触发。输入电容Ciss为4000pF，输出电容Coss为950pF，这些参数经过优化以平衡开关速度与EMI表现。总体而言，ST10080HC C2是一款集高效、高速、高可靠于一体的功率MOSFET，适用于对性能要求严苛的应用场景。
ST10080HC C2广泛应用于多个电力电子领域。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为主开关或同步整流器件。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于DC-DC降压变换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU供电。此外，该器件也常用于电机驱动系统，如电动工具、家用电器和工业自动化设备中的H桥驱动电路，能够高效控制直流电机或步进电机的正反转与调速。
在新能源相关应用中，ST10080HC C2可用于太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块中的功率转换级。其高温工作能力和抗雪崩特性提升了系统在恶劣环境下的稳定性。同时，该MOSFET也可用于LED恒流驱动电源，特别是在大功率户外照明和工业照明场合，帮助实现高效率和长寿命设计。其他应用还包括 uninterruptible power supplies (UPS)、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各类高电流负载开关电路。凭借其优异的综合性能，ST10080HC C2成为中高端功率应用中的理想选择。
STP80NF100, FQP80N10, IRF3205, IPB080N10S3L-02
