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ST-32ETA30K 发布时间 时间:2025/5/29 10:52:35 查看 阅读:10

ST-32ETA30K是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高效能MOSFET晶体管,属于PowerMOS系列。该器件采用TO-220封装形式,具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率管理应用。ST-32ETA30K的N沟道设计使其能够处理大电流负载,并具备出色的热性能。
  其主要特点在于优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡,从而提高了整体效率并降低了功耗。此外,它还集成了多种保护功能,例如过流保护和热关断,以确保在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):32A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):90nC(典型值)
  总功耗(Ptot):125W
  结温范围(Tj):-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220

特性

ST-32ETA30K具有以下显著特性:
  1. 高电流承载能力,支持高达32A的连续漏极电流。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少导通损耗。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 内置过流保护和热关断功能,提高系统可靠性。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应严苛环境。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特性使得ST-32ETA30K成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。

应用

ST-32ETA30K广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
  6. 汽车电子中的启动和停止控制。
  由于其高性能和可靠性,这款MOSFET特别适合需要高效率和低热损耗的应用场景。

替代型号

STP32NF30K
  IRFZ44N
  AO3400

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