时间：2025/5/29 10:52:35
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ST-32ETA30K是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高效能MOSFET晶体管，属于PowerMOS系列。该器件采用TO-220封装形式，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率管理应用。ST-32ETA30K的N沟道设计使其能够处理大电流负载，并具备出色的热性能。
其主要特点在于优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而提高了整体效率并降低了功耗。此外，它还集成了多种保护功能，例如过流保护和热关断，以确保在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：90nC（典型值）
总功耗(Ptot)：125W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
ST-32ETA30K具有以下显著特性：
1. 高电流承载能力，支持高达32A的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效减少导通损耗。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 内置过流保护和热关断功能，提高系统可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围，适应严苛环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特性使得ST-32ETA30K成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。
ST-32ETA30K广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
6. 汽车电子中的启动和停止控制。
由于其高性能和可靠性，这款MOSFET特别适合需要高效率和低热损耗的应用场景。
STP32NF30K
IRFZ44N
AO3400
