ST-32ETA30K是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高效能MOSFET晶体管,属于PowerMOS系列。该器件采用TO-220封装形式,具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率管理应用。ST-32ETA30K的N沟道设计使其能够处理大电流负载,并具备出色的热性能。
其主要特点在于优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡,从而提高了整体效率并降低了功耗。此外,它还集成了多种保护功能,例如过流保护和热关断,以确保在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):32A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):90nC(典型值)
总功耗(Ptot):125W
结温范围(Tj):-55°C至+175°C
封装形式:TO-220
ST-32ETA30K具有以下显著特性:
1. 高电流承载能力,支持高达32A的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少导通损耗。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 内置过流保护和热关断功能,提高系统可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围,适应严苛环境。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使得ST-32ETA30K成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。
ST-32ETA30K广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
6. 汽车电子中的启动和停止控制。
由于其高性能和可靠性,这款MOSFET特别适合需要高效率和低热损耗的应用场景。
STP32NF30K
IRFZ44N
AO3400