类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：800V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　漏极电流 Id：5A
　　导通电阻 Rds(on)：≤1.2Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　输入电容（Ciss）：≈550pF
　　开启阈值电压 Vgs(th)：2V ~ 4V

SSW5N80ATM 的核心特性之一是其高耐压能力，能够承受高达 800V 的漏源电压，使其适用于高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、LED 驱动器和 AC-DC 转换器。该器件的导通电阻较低（Rds(on) ≤1.2Ω），有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有较强的过载和瞬态电流承受能力，提高了系统在极端条件下的可靠性。TO-252 封装设计提供了良好的热管理性能，确保器件在高功率工作状态下仍能维持稳定运行。
　　另一个显著特性是其栅极驱动特性，具有较宽的栅源电压范围（±30V），适用于多种驱动电路设计。同时，开启阈值电压范围为 2V~4V，使其能够与标准逻辑电路兼容，便于控制和集成。此外，该器件的输入电容相对较小（约 550pF），有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体系统的响应速度和效率。

SSW5N80ATM 主要应用于需要高压、中等电流和高效能的电子系统中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、LED 照明驱动器、电池充电器、DC-DC 转换器、逆变器以及工业自动化控制系统中的电机驱动电路。由于其良好的热稳定性和较高的耐压能力，该 MOSFET 特别适合用于需要长时间稳定运行的工业级设备。此外，在消费类电子产品中，如液晶显示器（LCD）背光驱动和电源适配器中，该器件也具备广泛的应用潜力。

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