时间：2025/8/24 9:25:32
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SSW4N80 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高电压和高电流应用，如开关电源、电机控制、DC-DC转换器等。该器件采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和电气性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id）：4A
漏极功耗（Pd）：40W
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
SSW4N80具备高耐压能力和良好的导通性能，其800V的漏源电压使其适用于高电压输入环境，如AC-DC电源适配器和工业控制电源系统。该MOSFET的导通电阻较低，在4A电流下运行时仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，其TO-220封装设计具有良好的散热能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
该器件还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，增强了在异常工作条件下的可靠性。栅极驱动电压范围适中，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到各种功率变换系统中。此外，SSW4N80的封装形式便于安装和散热管理，适合多种应用场景，包括工业设备、家电和电源模块。
SSW4N80广泛应用于多种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制器、DC-DC转换器以及各类工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高耐压和良好的导通特性，该器件特别适用于需要高效能转换和稳定运行的高电压输入系统。此外，也可用于电池管理系统、充电器及不间断电源（UPS）等需要高可靠性的电源模块中。
2SK2545, 2SK1318, IRF840, STW4N80K
