类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：1.5A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.5Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220 / DPAK
　　功率耗散(Pd)：50W（最大）
　　栅极电荷(Qg)：约9nC
　　输入电容(Ciss)：约400pF

SSW1N60B具备多项优良特性，适用于中高功率应用。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源电压高达600V，适用于高压开关应用，如AC-DC电源、LED驱动器等。
　　2. 低导通电阻：Rds(on)典型值为2.5Ω，有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关特性：具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关损耗较小，适用于高频工作环境。
　　4. 热稳定性好：采用高性能封装（如TO-220），具备良好的散热能力，确保在高负载下稳定运行。
　　5. 高可靠性：经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力和长期稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
　　6. 栅极保护：内置栅极保护二极管，防止静电击穿及栅极过压损坏。
　　7. 宽工作温度范围：可在-55°C至150°C之间正常工作，适应各种恶劣环境条件。

SSW1N60B适用于多种电力电子应用，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器使用，适用于AC-DC和DC-DC转换器设计。
　　2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制电路中，提供高效的功率切换。
　　3. LED驱动器：在高压LED照明系统中作为功率开关，实现恒流控制。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制和保护电路中。
　　5. 工业自动化：在PLC、伺服驱动器和工业变频器中作为功率开关元件。
　　6. 家用电器：如电磁炉、空气炸锅等需要高压功率控制的家电产品。
　　7. 汽车电子：用于车载充电器、电动工具和车身控制模块等应用。

FQP1N60C, STW1N60DM2, IRF640N, FQA1N60C