时间：2025/9/2 3:51:24
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SST55LD019B-45-C-BWE是一款由Microchip Technology（收购了SST公司）生产的高性能、低功耗的并行NOR闪存芯片。该器件采用SuperFlash?技术，提供高可靠性和快速访问速度，适用于需要非易失性存储器的嵌入式系统和数据存储应用。该芯片的容量为19Mbit，支持多种封装选项和工业级工作温度范围。
容量：19Mbit
组织结构：1M x16
电压范围：2.7V至3.6V
访问时间：45ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：并行（x16）
擦除/写入周期：100,000次
数据保持时间：100年
功耗：典型工作电流为5mA（待机电流<10μA）
SST55LD019B-45-C-BWE具备多项先进特性，包括高速访问时间（45ns），使其适用于实时应用，如代码执行和数据缓存。其低功耗设计使其在待机模式下消耗极低的电流，适合电池供电设备。
该芯片采用SuperFlash?技术，提供高耐久性和数据保持能力，确保在恶劣环境下数据的长期可靠性。此外，该器件支持扇区擦除和块擦除功能，提供灵活的存储管理方式，用户可以根据需要单独擦除特定区域的数据。
安全性方面，SST55LD019B-45-C-BWE内置硬件数据保护机制，防止意外写入或擦除操作，同时支持软件写保护功能，增强系统的稳定性和数据完整性。
该芯片广泛应用于通信设备、工业控制系统、医疗仪器、汽车电子、消费类电子产品中的固件存储和数据存储。例如，在路由器、交换机、智能电表、便携式设备和嵌入式控制器中均有广泛应用。由于其高速访问能力和低功耗特性，它也常用于需要执行代码的系统中，如Bootloader存储、固件更新和数据日志记录等场景。
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