制造商：Microchip Technology
　　系列：SST39VF
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit
　　存储格式：8 MB
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　接口类型：并行（8位/16位可选）
　　时钟频率：无（异步）
　　读取访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程时间（字节/字）：典型30μs
　　擦除时间（扇区）：典型35ms
　　封装类型：48-TSOP，48-BGA
　　组织结构：按扇区划分（128个64KB扇区）
　　写保护功能：支持硬件和软件写保护
　　耐久性：10万次编程/擦除周期
　　数据保持时间：100年

SST39VF6401采用专有的SuperFlash? 技术，这是其最核心的技术优势。该技术基于双注入平流（Split-Gate Avalanche Injection）架构，与传统的浮栅技术不同，能够显著提升编程效率和器件可靠性。SuperFlash? 单元在编程过程中利用局部增强的电场实现电子注入，而无需依赖源极侧的热载流子注入，从而降低了编程所需的电流和功耗。这种机制不仅提高了编程速度，还减少了对存储单元的物理损伤，延长了器件的使用寿命。该技术使得SST39VF6401具备高达10万次的编程/擦除耐久性，远超许多传统NOR Flash器件。同时，数据保持能力达到100年以上，在高温环境下仍能保持数据完整性，适用于工业级和汽车级应用。
　　另一个关键特性是其强大的数据保护机制。SST39VF6401内置硬件和软件双重写保护功能。硬件保护通过将特定引脚（如RESET或WP）拉低来激活，防止在上电、掉电或系统复位期间发生意外写入或擦除操作。软件保护则通过执行特定的命令序列来锁定部分或全部存储区域，增强了系统的安全性。此外，该器件支持扇区擦除而非仅整片擦除，允许用户在不影响其他数据的情况下更新特定代码段，极大提升了灵活性和系统维护效率。
　　SST39VF6401还具备优异的读取性能，典型访问时间为70ns，能够在不使用缓存的情况下直接执行代码（XIP, eXecute In Place），这对于实时操作系统和嵌入式应用至关重要。其低功耗特性体现在待机电流低于20μA，主动读取电流约为25mA，适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。器件支持宽温度范围（-40°C至+85°C），可在严苛环境中稳定运行。此外，该芯片符合RoHS环保标准，采用无铅封装，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。

SST39VF6401广泛应用于需要高可靠性和快速代码执行能力的嵌入式系统中。在工业控制系统中，它常被用作PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块的固件存储器，因其能在高温、电磁干扰强的环境中长期稳定运行。在网络通信设备领域，如路由器、交换机和光模块，该芯片用于存储启动代码（Bootloader）、操作系统映像和配置参数，其快速读取能力和XIP特性确保设备能够迅速完成启动过程。在消费类电子产品中，例如机顶盒、智能电视和多媒体播放器，SST39VF6401作为主程序存储器，支持复杂的用户界面和多媒体解码功能。
　　此外，该器件也适用于医疗设备，如便携式监护仪、超声成像系统和诊断仪器，这些设备对数据完整性和系统稳定性要求极高，SST39VF6401的长期数据保持能力和抗干扰设计正好满足这些需求。在汽车电子中，虽然其未通过AEC-Q100认证，但仍可用于车载信息娱乐系统、后装导航设备等非安全关键系统中。军事和航空航天领域也采用此类高可靠性Flash存储器用于雷达信号处理、飞行控制单元和卫星通信模块，尤其是在需要抗辐射和宽温工作的子系统中。SST39VF6401还可用于测试测量仪器、POS终端、安防监控设备等，作为BIOS或固件的存储介质。其并行接口设计使其易于与多种微处理器（如ARM9、ColdFire、PowerPC等）和FPGA集成，简化系统设计并缩短开发周期。

SST39VF6402B
　　SST39VF6403
　　W29GL064C
　　MX29GL640EBHNI-70G
　　AM29LV640DB