型号：SST29LE010-150-4C-EH
　　存储容量：1 Mbit (128 KB)
　　组织结构：128K × 8
　　电源电压：3.0V 至 3.6V
　　访问时间：150 ns
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：48-pin TSOP
　　接口类型：并行异步
　　编程电压：单电源3.3V
　　待机电流：≤ 200 μA
　　工作电流：≤ 15 mA
　　写保护功能：软件控制
　　擦除寿命：≥ 100,000 次
　　数据保持时间：≥ 100 年

SST29LE010-150-4C-EH的核心技术是基于SST独有的SuperFlash存储单元技术，该技术采用双注入金属-氧化物半导体（SIMOS）结构，能够在低电压下实现高效的电子隧穿效应，从而完成快速的编程与擦除操作。每个存储单元均可独立进行字节级别的编程，最小编程单位为一个字节，极大提高了灵活性和使用效率。与传统EEPROM相比，SuperFlash技术显著提升了擦写速度和耐久性，典型情况下可支持超过10万次的擦除/编程周期，远高于普通EEPROM的10,000次水平，同时保证长达100年以上的数据保持能力，适合长期运行且需频繁更新固件的工业控制系统。
　　该器件内置智能内部控制器，能够自动管理编程脉冲宽度和擦除验证过程，无需外部复杂的时序控制逻辑。用户只需通过标准写入命令序列即可触发芯片内部算法，实现页编程、扇区擦除或整片擦除功能。这种自定时机制不仅降低了CPU负担，也减少了软件开发复杂度。此外，芯片提供硬件和软件双重写保护机制：通过将WE（Write Enable）信号拉高或利用特定的指令序列锁定特定地址区域，有效防止意外写入或病毒篡改关键代码段。
　　在性能方面，150ns的访问时间使其能够匹配大多数中高速微控制器总线速度，满足实时系统的需求。其低功耗特性尤为突出——在待机模式下电流消耗低于200μA，显著延长了电池供电设备的工作时间。48引脚TSOP封装具有较小的占地面积和良好的热性能，适合高密度PCB布局。同时，该芯片符合RoHS环保标准，无铅工艺制造，适应现代绿色电子产品的要求。由于其引脚兼容于多种标准EPROM和Flash器件，SST29LE010-150-4C-EH常被用于替代老旧的27CXXX系列或其他早期并行EEPROM产品，实现系统升级而不必重新设计电路板。

SST29LE010-150-4C-EH广泛应用于需要可靠非易失性存储的各种嵌入式系统中。典型应用场景包括工业自动化控制设备中的固件存储，如PLC控制器、人机界面（HMI）模块和远程I/O模块，这些系统通常要求长时间稳定运行并支持现场固件升级。在网络通信设备中，该芯片可用于存储启动代码、配置参数和日志信息，例如路由器、交换机和光纤收发器等设备，其快速读取能力和高耐久性保障了系统快速启动和频繁配置更改的稳定性。
　　在消费类电子产品领域，SST29LE010-150-4C-EH常见于打印机、扫描仪、POS终端和智能家居控制面板中，用于保存设备驱动程序、用户设置和校准数据。由于其支持工业级温度范围，因此也非常适合部署在户外或高温环境中工作的设备，如车载信息系统、安防监控主机和远程传感器节点。此外，在测试测量仪器中，该芯片可用于存储校准系数、操作菜单和历史记录，确保设备精度和用户体验的一致性。
　　由于其并行接口特性，该器件特别适用于使用传统微处理器或微控制器架构（如8051、68K、ARM7等）的系统，尤其是在无法使用SPI或I2C等串行接口的场合下提供了一种高效可靠的存储解决方案。对于需要快速迁移旧有EPROM系统的设计人员而言，SST29LE010-150-4C-EH提供了无缝替换路径，既保留原有硬件架构，又提升存储性能与可靠性。

SST29EE010-120-4C-EH
　　M29W010B-120K8X5
　　SST39SF010A-120-4C-PHE