SST29EE010-90-4C-NHE是一款由Microchip Technology(原SST公司)生产的高性能、低功耗的CMOS串行闪存(Serial Flash)芯片。该芯片采用SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,容量为1Mbit(128K x 8),适用于需要非易失性存储器的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。该器件具有高可靠性、快速访问速度和多种节能模式,适合在广泛的工业温度范围内运行。
容量:1Mbit
组织结构:128K x 8
电源电压:2.7V - 3.6V
访问时间:90ns(最大)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:8引脚 SOIC
接口类型:SPI(串行外设接口)
擦写次数:100,000次(典型)
数据保持时间:100年
工作频率:最大时钟频率为33MHz
功耗:典型工作电流为5mA,待机电流小于5μA
SST29EE010-90-4C-NHE采用SST独有的SuperFlash?技术,提供卓越的擦写性能和可靠性。该芯片支持块擦除和全片擦除操作,擦除速度非常快,适合需要频繁更新数据的应用场景。此外,该器件具有硬件和软件写保护功能,可防止误写入和数据损坏,确保关键代码或数据的安全性。
该芯片还内置了先进的节能模式,能够在空闲时显著降低功耗,适用于对功耗敏感的便携式设备。SST29EE010-90-4C-NHE的SPI接口兼容多种主控设备,简化了系统设计并减少了PCB布线复杂度。此外,该器件支持高速连续读取模式,提高了数据访问效率。
在可靠性方面,SST29EE010-90-4C-NHE经过严格的测试和验证,确保在工业级温度范围内稳定工作,适用于高要求的工业和通信应用。
SST29EE010-90-4C-NHE广泛应用于需要串行非易失性存储器的各种嵌入式系统中,例如:固件存储、配置数据保存、日志记录、远程更新、工业控制设备、网络设备、医疗仪器、消费电子产品和汽车电子模块等。其高可靠性、低功耗和SPI接口的灵活性使其成为许多系统设计中的理想选择。
AT25DN256-SH-T, MX25L1005EM1I-12G, W25X10CLSNIG, SST25VF010B-33-4C-S2AF