类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@10V VGS时约2.0mΩ
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-263（D2Pak）、TO-220、TO-247等

SSS80N10 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性，使其在各种功率电子应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率并减少散热需求。这对于高功率密度设计尤为重要。
　　其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达80A，适合用于高负载应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。此外，SSS80N10具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的工作频率，从而允许使用更小的无源元件，进一步缩小电路板面积。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其最大工作温度可达+175°C，确保在恶劣工作条件下仍能保持可靠性能。此外，其封装形式（如TO-263、TO-220等）设计合理，便于安装和散热管理，适用于多种PCB布局需求。
　　另外，SSS80N10的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，使其能够与多种栅极驱动器兼容。这一特性提高了其在不同控制电路中的适用性，尤其适合用于需要高精度功率控制的工业和汽车电子系统。

SSS80N10广泛应用于多种功率电子设备中，主要包括：
　　1. **电源转换器**：如AC-DC电源、DC-DC转换器、同步整流器等，用于高效能电源管理系统。
　　2. **电机驱动与控制**：适用于直流电机、无刷电机及步进电机的驱动电路，特别是在工业自动化和机器人控制系统中。
　　3. **电池管理系统**：用于电动工具、电动汽车和储能系统中的电池充放电控制。
　　4. **照明系统**：如LED驱动器、HID灯镇流器等高功率照明应用。
　　5. **汽车电子**：包括车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器等对可靠性和效率要求较高的场合。
　　6. **工业控制设备**：如PLC、伺服驱动器、UPS不间断电源等，满足工业自动化对高稳定性和高性能的需求。

SiR862ADP, STP80NF10, IRF1405, FDP80N10